| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 符号说明 | 第9-10页 |
| 前言 | 第10-18页 |
| 研究现状、成果 | 第10-15页 |
| 研究目的、方法 | 第15-18页 |
| 一、分子拥挤条件下低交联度分子印迹整体的制备和评价 | 第18-44页 |
| 1.1 引言 | 第18-19页 |
| 1.2 仪器及试剂 | 第19-21页 |
| 1.2.1 仪器 | 第19页 |
| 1.2.2 试剂 | 第19-21页 |
| 1.3 整体柱的制备 | 第21-24页 |
| 1.4 结果与讨论 | 第24-43页 |
| 1.4.1 整体柱制备参数的研究 | 第24-31页 |
| 1.4.2 印迹整体柱色谱参数研究 | 第31-43页 |
| 1.5 小结 | 第43-44页 |
| 二、含有液晶单体的低交联度表面分子印迹整体的制备和评价 | 第44-77页 |
| 2.1 引言 | 第44-45页 |
| 2.2 仪器及试剂 | 第45-48页 |
| 2.2.1 仪器 | 第45-46页 |
| 2.2.2 试剂 | 第46-48页 |
| 2.3 整体柱的制备 | 第48-50页 |
| 2.3.1 骨架材料的制备 | 第48页 |
| 2.3.2 接枝MIPs的制备 | 第48-50页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第50-76页 |
| 2.4.1 整体柱制备参数的研究 | 第50-57页 |
| 2.4.2 整体柱色谱参数的研究 | 第57-64页 |
| 2.4.3 表面印迹整体柱的表征 | 第64-76页 |
| 2.5 小结 | 第76-77页 |
| 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-88页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第88-89页 |
| 综述 | 第89-118页 |
| 分子印迹整体柱的研究进展 | 第89-109页 |
| 综述参考文献 | 第109-118页 |
| 致谢 | 第118页 |