| 目录 | 第4-6页 |
| CONTENTS | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 引言 | 第12-16页 |
| 1.2 铁磁性半导体 | 第16-24页 |
| 1.2.1 铁磁性半导体的基本特征 | 第16页 |
| 1.2.2 铁磁性半导体中的磁性耦合机制 | 第16-19页 |
| 1.2.3 铁磁性半导体的研究历史及现状 | 第19-23页 |
| 1.2.4 铁磁性半导体的应用 | 第23-24页 |
| 1.3 氧化铟(In_2O_3)基铁磁性半导体的物理性质和研究现状 | 第24-30页 |
| 1.3.1 氧化铟的结构和物理性质 | 第24-25页 |
| 1.3.2 氧化铟基铁磁性半导体的研究现状 | 第25-30页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第30-31页 |
| 第二章 薄膜的制备技术与测试分析仪器 | 第31-35页 |
| 2.1 脉冲激光沉积技术 | 第31-33页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积的原理 | 第31-32页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积技术制备薄膜材料的优点 | 第32页 |
| 2.1.3 实验用脉冲激光沉积设备 | 第32-33页 |
| 2.2 薄膜样品的测试分析仪器 | 第33-35页 |
| 第三章 不同生长条件下铁掺杂氧化铟外延薄膜的性质 | 第35-53页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 样品的制备 | 第35-36页 |
| 3.3 不同生长温度的铁掺杂氧化铟薄膜的性质 | 第36-45页 |
| 3.3.1 样品的结构特征和磁学性质 | 第36-43页 |
| 3.3.2 样品的形貌和输运性质 | 第43-45页 |
| 3.4 不同厚度的铁掺杂氧化铟薄膜的性质 | 第45-52页 |
| 3.4.1 薄膜厚度对晶体结构和表面形貌的影响 | 第46-48页 |
| 3.4.2 薄膜厚度对输运性质和光学性质的影响 | 第48-49页 |
| 3.4.3 薄膜厚度对磁各向异性的影响 | 第49-52页 |
| 3.5 小结 | 第52-53页 |
| 第四章 锡掺杂对铁掺氧化钢薄膜的性质的影响 | 第53-64页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 样品的制备 | 第54页 |
| 4.3 锡掺杂对铁掺氧化铟薄膜的性质的改进 | 第54-61页 |
| 4.3.1 晶体结构和表面形貌 | 第54-58页 |
| 4.3.2 光学性质和输运性质 | 第58-61页 |
| 4.4 铁掺氧化铟薄膜的磁性耦合机制 | 第61-63页 |
| 4.5 小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 在学期间发表的论文 | 第71页 |
| 参加的学术会议 | 第71-72页 |
| 附件 | 第72-79页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第79页 |