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铁掺杂氧化铟外延薄膜的生长机理与物性研究

目录第4-6页
CONTENTS第6-8页
摘要第8-10页
Abstract第10-11页
第一章 绪论第12-31页
    1.1 引言第12-16页
    1.2 铁磁性半导体第16-24页
        1.2.1 铁磁性半导体的基本特征第16页
        1.2.2 铁磁性半导体中的磁性耦合机制第16-19页
        1.2.3 铁磁性半导体的研究历史及现状第19-23页
        1.2.4 铁磁性半导体的应用第23-24页
    1.3 氧化铟(In_2O_3)基铁磁性半导体的物理性质和研究现状第24-30页
        1.3.1 氧化铟的结构和物理性质第24-25页
        1.3.2 氧化铟基铁磁性半导体的研究现状第25-30页
    1.4 本论文的研究内容第30-31页
第二章 薄膜的制备技术与测试分析仪器第31-35页
    2.1 脉冲激光沉积技术第31-33页
        2.1.1 脉冲激光沉积的原理第31-32页
        2.1.2 脉冲激光沉积技术制备薄膜材料的优点第32页
        2.1.3 实验用脉冲激光沉积设备第32-33页
    2.2 薄膜样品的测试分析仪器第33-35页
第三章 不同生长条件下铁掺杂氧化铟外延薄膜的性质第35-53页
    3.1 引言第35页
    3.2 样品的制备第35-36页
    3.3 不同生长温度的铁掺杂氧化铟薄膜的性质第36-45页
        3.3.1 样品的结构特征和磁学性质第36-43页
        3.3.2 样品的形貌和输运性质第43-45页
    3.4 不同厚度的铁掺杂氧化铟薄膜的性质第45-52页
        3.4.1 薄膜厚度对晶体结构和表面形貌的影响第46-48页
        3.4.2 薄膜厚度对输运性质和光学性质的影响第48-49页
        3.4.3 薄膜厚度对磁各向异性的影响第49-52页
    3.5 小结第52-53页
第四章 锡掺杂对铁掺氧化钢薄膜的性质的影响第53-64页
    4.1 引言第53-54页
    4.2 样品的制备第54页
    4.3 锡掺杂对铁掺氧化铟薄膜的性质的改进第54-61页
        4.3.1 晶体结构和表面形貌第54-58页
        4.3.2 光学性质和输运性质第58-61页
    4.4 铁掺氧化铟薄膜的磁性耦合机制第61-63页
    4.5 小结第63-64页
第五章 总结与展望第64-65页
参考文献第65-70页
致谢第70-71页
在学期间发表的论文第71页
参加的学术会议第71-72页
附件第72-79页
学位论文评阅及答辩情况表第79页

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