| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第8-26页 |
| 1.1 忆阻器概述 | 第8-15页 |
| 1.1.1 忆阻器的发展 | 第8-13页 |
| 1.1.2 阻变存储器的研究进展 | 第13-15页 |
| 1.2 神经态电路简介 | 第15-16页 |
| 1.3 神经突触的研究现状与学习机理 | 第16-21页 |
| 1.3.1 脉冲时间依赖可塑性和脉冲频率依赖可塑性 | 第17-20页 |
| 1.3.2 短时记忆与长时记忆 | 第20-21页 |
| 1.4 突触可塑性和忆阻器的联系 | 第21-23页 |
| 1.5 PEDOTPSS的基本物化性质及研究进展 | 第23-25页 |
| 1.6 本论文研究思路及内容 | 第25-26页 |
| 第二章 实验原理与技术 | 第26-32页 |
| 2.1 薄膜样品的制备技术 | 第26-27页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第26-27页 |
| 2.1.2 匀胶法 | 第27页 |
| 2.2 器件制备流程 | 第27-30页 |
| 2.2.1 基片清洗 | 第27-29页 |
| 2.2.2 下电极制备 | 第29页 |
| 2.2.3 中间层制备 | 第29-30页 |
| 2.2.4 上电极制备 | 第30页 |
| 2.3 薄膜和器件的表征与测试 | 第30-31页 |
| 2.3.1 透视电子显微镜 | 第30-31页 |
| 2.3.2 台阶仪 | 第31页 |
| 2.3.3 电学性能测试 | 第31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 掺杂对Ag/PEDOTPSS/Ta忆阻器的性能影响 | 第32-44页 |
| 3.1 忆阻器的设计与制备 | 第32-33页 |
| 3.1.1 未掺杂Ag/PEDOT:PSS/Ta忆阻器的设计与制备 | 第32页 |
| 3.1.2 PVP掺杂Ag/PEDOT:PSS/Ta忆阻器的设计与制备 | 第32-33页 |
| 3.1.3 CuCl_2掺杂Ag/PEDOT:PSS/Ta忆阻器的设计与制备 | 第33页 |
| 3.2 器件基本电学特性 | 第33-38页 |
| 3.3 掺杂前后电流(电导)变化的机制探讨 | 第38-41页 |
| 3.3.1 Ag/PEDOT:PSS/Ta忆阻器阻变机制 | 第38-40页 |
| 3.3.2 PVP掺杂对电流值变化的原因 | 第40页 |
| 3.3.3 CuCl_2掺杂对电流值变化的原因 | 第40-41页 |
| 3.4 不同电导变化忆阻器的应用 | 第41-42页 |
| 3.5 制备不同电导范围忆阻器的思路 | 第42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 Ag/PEDOTPSS:PVP/Ta忆阻器模拟突触可塑性 | 第44-55页 |
| 4.1 Ag/PEDOTPSS:PVP/Ta忆阻器的设计与制备 | 第44页 |
| 4.2 基本电学性能 | 第44-46页 |
| 4.3 短时程可塑性转化成长时程可塑性 | 第46-49页 |
| 4.4 脉冲频率依赖可塑性 | 第49-52页 |
| 4.5 模拟脉冲时间依赖可塑性 | 第52-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 个人简历、在读期间的研究成果及发表的学术论文 | 第63页 |
