光学元件表面真空等离子体处理与工艺研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 超光滑表面加工方法简介 | 第10-13页 |
| 1.2.1 单点金刚石切削 | 第10-11页 |
| 1.2.2 磁流变抛光技术 | 第11页 |
| 1.2.3 离子束抛光技术 | 第11-12页 |
| 1.2.4 等离子体抛光技术 | 第12-13页 |
| 1.3 国内外真空等离子体加工技术的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.4 论文研究内容和论文结构 | 第16-17页 |
| 2 等离子体与表面处理技术 | 第17-26页 |
| 2.1 等离子体概述 | 第17页 |
| 2.2 等离子体发生与诊断技术 | 第17-21页 |
| 2.2.1 射频电容耦合放电等离子体 | 第17-19页 |
| 2.2.2 射频电感耦合放电等离子体 | 第19-20页 |
| 2.2.3 等离子体诊断技术 | 第20-21页 |
| 2.3 等离子体刻蚀机理 | 第21-23页 |
| 2.3.1 等离子体溅射刻蚀 | 第21-22页 |
| 2.3.2 反应离子刻蚀 | 第22-23页 |
| 2.4 课题研究方案和测试仪器 | 第23-26页 |
| 2.4.1 研究方案 | 第23-24页 |
| 2.4.2 试验检测仪器简介 | 第24-26页 |
| 3 电感耦合等离子体表面处理工艺研究 | 第26-46页 |
| 3.1 电感耦合等离子体刻蚀实验装置 | 第26页 |
| 3.2 电感耦合等离子体物理刻蚀工艺实验 | 第26-29页 |
| 3.2.1 射频功率对物理刻蚀的影响 | 第26-27页 |
| 3.2.2 Ar流量对物理刻蚀的影响 | 第27-29页 |
| 3.3 电感耦合反应等离子体刻蚀工艺实验 | 第29-39页 |
| 3.3.1 射频功率对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第29-30页 |
| 3.3.2 Ar流量对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第30-32页 |
| 3.3.3 O_2流量对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.4 CF_4流量对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.5 工作气压对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.6 刻蚀时间对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.7 射频偏压对粗糙度的影响及面形精度分析 | 第36-39页 |
| 3.4 离子束刻蚀速率影响因素工艺实验 | 第39-44页 |
| 3.4.1 工作间距对刻蚀速率的影响 | 第39-40页 |
| 3.4.2 功率对刻蚀速率的影响 | 第40-41页 |
| 3.4.3 工作气压对刻蚀速率的影响 | 第41-42页 |
| 3.4.4 Ar流量对刻蚀速率的影响 | 第42-43页 |
| 3.4.5 束流电压对刻蚀速率的影响 | 第43页 |
| 3.4.6 束流开关频率对刻蚀速率的影响 | 第43-44页 |
| 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 电容耦合等离子体发生装置与工艺研究 | 第46-59页 |
| 4.1 电容耦合等离子体结构设计与诊断 | 第46-49页 |
| 4.1.1 等离子体源结构设计 | 第46-47页 |
| 4.1.2 电容耦合等离子体诊断 | 第47-49页 |
| 4.2 电容耦合等离子体表面处理工艺研究 | 第49-56页 |
| 4.2.1 工作间距对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.2 功率对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.3 气压对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.4 Ar流量对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第53-54页 |
| 4.2.5 O_2流量对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第54-55页 |
| 4.2.6 CF_4流量对粗糙度和刻蚀速率的影响 | 第55-56页 |
| 4.3 等离子体源结构的改进 | 第56-58页 |
| 本章小结 | 第58-59页 |
| 5 多种方式结合的表面加工方法初步研究 | 第59-64页 |
| 5.1 技术路线 | 第59页 |
| 5.2 光刻胶薄膜ICP刻蚀工艺实验 | 第59-61页 |
| 5.2.1 射频功率对光刻胶刻蚀的影响 | 第60页 |
| 5.2.2 Ar流量对光刻胶刻蚀的影响 | 第60-61页 |
| 5.3 光刻胶薄膜CCP刻蚀工艺实验 | 第61-63页 |
| 5.3.1 射频功率对光刻胶刻蚀的影响 | 第61-62页 |
| 5.3.2 Ar流量对光刻胶刻蚀的影响 | 第62-63页 |
| 本章小结 | 第63-64页 |
| 6 结论 | 第64-67页 |
| 6.1 结论 | 第64-65页 |
| 6.2 展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
