| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 一维磁性材料的概述 | 第10-13页 |
| 1.2 多孔模板的分类与特点 | 第13-20页 |
| 1.2.1 多孔阳极氧化铝模板的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2.2 多孔硅模板的研究现状 | 第16-20页 |
| 1.3 一维磁性材料的国内外研究现状 | 第20-24页 |
| 1.3.1 一维磁性纳米线 | 第20-21页 |
| 1.3.2 一维磁性纳米管 | 第21-23页 |
| 1.3.3 一维磁性微米管 | 第23-24页 |
| 1.4 本论文主要工作内容和意义 | 第24-25页 |
| 第二章 实验基本原理与实验器材 | 第25-31页 |
| 2.1 AAO模板的形成机理 | 第25-27页 |
| 2.1.1 场致溶解模型 | 第25页 |
| 2.1.2 体积膨胀理论 | 第25-26页 |
| 2.1.3 等场强理论 | 第26-27页 |
| 2.2 多孔硅模板的形成机理 | 第27-29页 |
| 2.2.1 壁垒层击穿模型 | 第27页 |
| 2.2.2 Beale耗尽层（空间电荷区）理论 | 第27-28页 |
| 2.2.3 扩散限制聚集理论 | 第28页 |
| 2.2.4 量子限制理论 | 第28-29页 |
| 2.3 实验器材 | 第29-31页 |
| 2.3.1 实验设备 | 第29-30页 |
| 2.3.2 实验材料 | 第30-31页 |
| 第三章 多孔阳极氧化铝模板的制备与研究 | 第31-49页 |
| 3.1 多孔阳极氧化铝模板硬氧化工艺 | 第31-39页 |
| 3.1.1 草酸体系的阳极硬氧化工艺流程 | 第31-34页 |
| 3.1.2 氧化温度对硬氧化的影响 | 第34-36页 |
| 3.1.3 氧化电压对硬氧化的影响 | 第36-39页 |
| 3.2 多孔阳极氧化铝模板软氧化工艺 | 第39-44页 |
| 3.2.1 软氧化二次阳极氧化工艺流程 | 第39-40页 |
| 3.2.2 软氧化模板去阻挡层与时间的关系 | 第40-42页 |
| 3.2.3 软氧化扩孔与时间的关系 | 第42-44页 |
| 3.3 多孔阳极氧化铝模板二次硬氧化工艺 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 多孔硅模板的制备与研究 | 第49-61页 |
| 4.1 多孔硅光辅助电化学腐蚀技术的基本原理 | 第49-50页 |
| 4.2 光辅助电化学腐蚀制备多孔硅的工艺流程 | 第50-52页 |
| 4.3 背光照辅助电化学腐蚀制备多孔硅的工艺研究 | 第52-59页 |
| 4.3.1 随机腐蚀制备多孔硅的三个生长阶段 | 第52-53页 |
| 4.3.2 背光照对多孔硅制备的影响 | 第53-54页 |
| 4.3.3 HF酸浓度对多孔硅制备的影响 | 第54-56页 |
| 4.3.4 反应电流对多孔硅制备的影响 | 第56-59页 |
| 4.3.5 腐蚀时间对多孔硅生长的影响 | 第59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 一维磁性材料的制备与研究 | 第61-78页 |
| 5.1 多孔硅基镍微米管的制备与研究 | 第61-65页 |
| 5.1.1 多孔硅基镍微米管的制备 | 第61页 |
| 5.1.2 多孔硅基镍微米管的表征 | 第61-65页 |
| 5.2 多孔氧化铝基铁纳米线阵列的制备与研究 | 第65-72页 |
| 5.2.1 不同直径的铁纳米线阵列的制备 | 第65-66页 |
| 5.2.2 不同直径的铁纳米线阵列的表征 | 第66-69页 |
| 5.2.3 不同直径的铁纳米线阵列高频电磁参数的研究 | 第69-72页 |
| 5.3 多孔氧化铝基铁纳米管阵列的制备与研究 | 第72-76页 |
| 5.3.1 不同直径的铁纳米管阵列的制备 | 第72-73页 |
| 5.3.2 不同直径的铁纳米管阵列的表征 | 第73-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-78页 |
| 第六章 结论与展望 | 第78-80页 |
| 6.1 结论 | 第78页 |
| 6.2 展望 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-89页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第89-90页 |