| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| 第一节 磁电阻效应 | 第13-14页 |
| 第二节 磁性材料的磁电阻效应 | 第14-20页 |
| 2.1 各向异性磁电阻效应(AMR) | 第14-15页 |
| 2.2 巨磁电阻效应(GMR) | 第15-17页 |
| 2.3 隧穿磁电阻效应(TMR) | 第17-20页 |
| 第三节 非磁性材料的磁电阻效应 | 第20-26页 |
| 3.1 正常磁电阻效应(OMR) | 第20-21页 |
| 3.2 非磁性半导体中的异常磁电阻效应(EMR) | 第21-26页 |
| 第四节 本文的研究动机和内容 | 第26-28页 |
| 第二章 样品的制备和分析测试方法 | 第28-39页 |
| 第一节 薄膜制备技术 | 第28-34页 |
| 1.1 电子束蒸发法 | 第28-30页 |
| 1.2 磁控溅射法 | 第30-32页 |
| 1.3 脉冲激光沉积技术 | 第32-34页 |
| 第二节 样品分析测试设备与方法 | 第34-39页 |
| 2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第34-35页 |
| 2.2 交流梯度磁强计(Alternating Gradient Magnetometer,AGM) | 第35-36页 |
| 2.3 超导量子干涉仪(SQUlD) | 第36-39页 |
| 第三章 非磁性Al/Ge/Al异质结中整流磁电阻效应的发现 | 第39-52页 |
| 第一节 引言 | 第39-40页 |
| 1.1 磁电阻效应和金属-半导体接触的研究现状 | 第39-40页 |
| 1.2 整流磁电阻效应的提出 | 第40页 |
| 第二节 Al/Ge/Al异质结的制备 | 第40-43页 |
| 2.1 样品制备过程 | 第40-42页 |
| 2.2 样品结构示意图及伏安特性曲线 | 第42-43页 |
| 第三节 Al/Ge/Al异质结磁电阻效应的研究 | 第43-51页 |
| 3.1 样品测试过程介绍 | 第43-44页 |
| 3.2 样品磁电阻效应的测量 | 第44-45页 |
| 3.3 整流磁电阻随交流幅值和交流频率的变化 | 第45-46页 |
| 3.4 整流磁电阻的对照试验 | 第46-49页 |
| 3.5 整流磁电阻效应的产生机理 | 第49-51页 |
| 第四节 总结 | 第51-52页 |
| 第四章 整流磁电阻的电调控 | 第52-61页 |
| 第一节 引言 | 第52-53页 |
| 第二节 In/Al/Ge/In异质结磁电阻的电调控 | 第53-60页 |
| 2.1 样品的制备 | 第53页 |
| 2.2 样品测试过程介绍 | 第53-54页 |
| 2.3 样品的DC+AC伏安特性曲线测量 | 第54-58页 |
| 2.4 样品的RMR交流幅值和频率的变化 | 第58-59页 |
| 2.5 样品磁电阻电调控过程的产生机理 | 第59-60页 |
| 第三节 总结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 第一节 论文主要内容总结 | 第61页 |
| 第二节 论文特色与创新 | 第61-62页 |
| 第三节 展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 硕士期间参加的学术会议 | 第69-70页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第70页 |
