| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 二氧化钒相变理论 | 第11-13页 |
| 1.2.1 二氧化钒相变的晶体结构理论 | 第11-12页 |
| 1.2.2 二氧化钒相变的热力学分析 | 第12-13页 |
| 1.3 二氧化钒相变特性 | 第13-15页 |
| 1.3.1 电学特性 | 第13页 |
| 1.3.2 光学特性 | 第13-15页 |
| 1.3.3 回线宽度以及相变温度 | 第15页 |
| 1.3.4 其它特性 | 第15页 |
| 1.4 二氧化钒薄膜的相变特性 | 第15-16页 |
| 1.5 二氧化钒薄膜的应用及性能优化 | 第16-18页 |
| 1.6 论文结构安排 | 第18-19页 |
| 第二章 高分子辅助沉积制备VO_2薄膜及结构和性能表征 | 第19-27页 |
| 2.1 二氧化钒薄膜的主要制备方法 | 第19-21页 |
| 2.1.1 物理气相沉积法 | 第19-20页 |
| 2.1.2 化学沉积法 | 第20-21页 |
| 2.2 高分子辅助沉积法及其特点 | 第21-23页 |
| 2.3 二氧化钒薄膜的表征方法 | 第23-25页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析（XRD） | 第23-24页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱（XPS） | 第24页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第24-25页 |
| 2.3.4 拉曼（Raman） | 第25页 |
| 2.4 二氧化钒薄膜的电学性能表征方法 | 第25-27页 |
| 第三章 高分子辅助沉积法最优工艺 | 第27-40页 |
| 3.1 高分子辅助沉积法制备VO_2薄膜存在的问题 | 第27-28页 |
| 3.2 高分子辅助沉积法制备VO_2薄膜的过程 | 第28-30页 |
| 3.2.1 前驱液的制备 | 第28-29页 |
| 3.2.2 基片处理 | 第29页 |
| 3.2.3 退火处理 | 第29-30页 |
| 3.3 高分子辅助沉积法制备二氧化钒的影响参数 | 第30-39页 |
| 3.3.1 衬底 | 第30-34页 |
| 3.3.2 退火温度 | 第34-38页 |
| 3.3.3 薄膜层数 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 最优工艺下掺铁二氧化钒的结构研究 | 第40-52页 |
| 4.1 掺杂改变二氧化钒性能的机理 | 第40-41页 |
| 4.2 高分子辅助沉积法制备掺铁二氧化钒 | 第41页 |
| 4.3 掺Fe二氧化钒薄膜的表征 | 第41-50页 |
| 4.3.1 掺铁二氧化钒薄膜的XRD分析 | 第41-44页 |
| 4.3.2 掺铁二氧化钒薄膜的XPS分析 | 第44-50页 |
| 4.3.3 掺铁二氧化钒薄膜的AFM分析 | 第50页 |
| 4.4 本章小节 | 第50-52页 |
| 第五章 掺铁二氧化钒相变性能的研究 | 第52-62页 |
| 5.1 电学特性分析 | 第52-53页 |
| 5.2 相变特性分析 | 第53-58页 |
| 5.2.1 掺铁量对二氧化钒中间相的影响 | 第54-56页 |
| 5.2.2 掺铁量对相变温度的影响 | 第56-57页 |
| 5.2.3 掺铁量对回线宽度的影响 | 第57-58页 |
| 5.3 掺Fe对样品M1、M2相的影响 | 第58-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论及展望 | 第62-64页 |
| 6.1 结论 | 第62-63页 |
| 6.2 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第71-72页 |