金属薄膜在石墨烯层的生长系统研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 选题背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 薄膜生长的研究现状 | 第9-11页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第10页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本文研究的内容及组织结构 | 第11-13页 |
| 第2章 薄膜工艺的理论基础及计算方法 | 第13-28页 |
| 2.1 薄膜工艺概述 | 第13-16页 |
| 2.1.1 单晶石墨烯的制备 | 第13-15页 |
| 2.1.2 石墨烯/Au（111）制备工艺 | 第15-16页 |
| 2.2 薄膜的形核与生长理论 | 第16-20页 |
| 2.2.1 亚单层薄膜生长机理 | 第16-19页 |
| 2.2.2 多层薄膜生长机理 | 第19-20页 |
| 2.3 计算机模拟的基础理论与方法 | 第20-28页 |
| 2.3.1 密度泛函理论 | 第21页 |
| 2.3.2 过渡态理论 | 第21-22页 |
| 2.3.3 分子动力学（MD）方法 | 第22-23页 |
| 2.3.4 蒙特卡洛方法 | 第23-24页 |
| 2.3.5 动力学蒙特卡洛方法 | 第24-26页 |
| 2.3.6 粒子间的作用势 | 第26-28页 |
| 第3章 Au膜生长的模型设计 | 第28-39页 |
| 3.1 建模的基本思路 | 第28-31页 |
| 3.2 模型的建立 | 第31-35页 |
| 3.2.1 衬底的建立 | 第31-33页 |
| 3.2.2 Au-C与Au-Au相互作用的计算 | 第33页 |
| 3.2.3 事件过程的计算 | 第33-35页 |
| 3.3 KMC算法的实现 | 第35-39页 |
| 3.3.1 KMC直接法描述 | 第35-36页 |
| 3.3.2 KMC程序设计 | 第36-39页 |
| 第4章 Au薄膜生长表面形貌的模拟结果分析 | 第39-49页 |
| 4.1 系统参数对薄膜生长表面形貌的影响 | 第39-43页 |
| 4.2 溶液浓度对薄膜生长表面形貌的影响 | 第43-45页 |
| 4.3 解吸几率对晶粒尺寸的影响 | 第45-47页 |
| 4.4 能量参数γ对生长系统的影响 | 第47-48页 |
| 4.5 结论 | 第48-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 工作总结 | 第49页 |
| 5.2 展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
