| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 MOSFET和TFT简介及工作原理 | 第9-13页 |
| 1.2.1 MOSFET工作原理简介 | 第10页 |
| 1.2.2 等效氧化层厚度 | 第10-11页 |
| 1.2.3 TFT工作原理简介 | 第11-13页 |
| 1.3 薄膜晶体管的发展 | 第13-14页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜晶体管 | 第13页 |
| 1.3.2 多晶硅薄膜晶体管 | 第13-14页 |
| 1.3.3 有机薄膜晶体管 | 第14页 |
| 1.3.4 氧化物薄膜晶体管 | 第14页 |
| 1.4 本论文的研究内容和意义 | 第14-16页 |
| 第二章 样品制备仪器和材料分析测试仪器 | 第16-25页 |
| 2.1 高真空物理沉积系统 | 第16-18页 |
| 2.1.1 超声清洗器 | 第16页 |
| 2.1.2 射频磁控溅射系统 | 第16-17页 |
| 2.1.3 快速退火炉 | 第17-18页 |
| 2.2 材料分析测试仪器 | 第18-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第18-19页 |
| 2.2.2 紫外-可见光谱仪(UV-VIS) | 第19-20页 |
| 2.2.3 椭圆偏振仪(SE) | 第20-22页 |
| 2.2.4 原子力显微镜(AFM) | 第22-23页 |
| 2.2.5 X-ray photoelectron spectroscopy | 第23页 |
| 2.2.6 电学测试仪器 | 第23-25页 |
| 第三章 氧氩分压比对铟镓锌氧薄膜的结构,光学及电学性能的影响 | 第25-38页 |
| 3.1 铟镓锌氧薄膜的制备 | 第25-28页 |
| 3.1.1 基片的清洗 | 第25-26页 |
| 3.1.2 铟镓锌氧薄膜的制备参数 | 第26页 |
| 3.1.3 磁控溅射仪的操作流程 | 第26-28页 |
| 3.2 铟镓锌氧薄膜的表征和特性研究 | 第28-37页 |
| 3.2.1 铟镓锌氧薄膜的沉积速率 | 第28-29页 |
| 3.2.2 铟镓锌氧薄膜的微结构分析 | 第29页 |
| 3.2.3 铟镓锌氧薄膜的光学特性分析 | 第29-34页 |
| 3.2.4 铟镓锌氧薄膜的SEM和AFM分析 | 第34-36页 |
| 3.2.5 铟镓锌氧薄膜的电学性质 | 第36-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 不同沉积温度对铟镓锌氧薄膜的结构,光学及电学性质的影响 | 第38-46页 |
| 4.1 薄膜制备条件 | 第38页 |
| 4.2 铟镓锌氧薄膜的微结构分析 | 第38-39页 |
| 4.3 铟镓锌氧薄膜的光学特性分析 | 第39-41页 |
| 4.4 铟镓锌氧薄膜的电学性质分析 | 第41-42页 |
| 4.5 铟镓锌氧薄膜的XPS分析 | 第42-45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 HfTiO/IGZO和IGZO(N)/Si异质结界面及能带结构分析 | 第46-61页 |
| 5.1 HfTiO/IGZO异质结的能带偏移 | 第46-53页 |
| 5.1.1 HfTiO/IGZO薄膜制备条件 | 第46-47页 |
| 5.1.2 HfTiO和IGZO薄膜的微结构分析 | 第47-48页 |
| 5.1.3 HfTiO和IGZO薄膜的透射和带隙 | 第48页 |
| 5.1.4 HfTiO/IGZO异质结的XPS分析 | 第48-52页 |
| 5.1.5 HfTiO/IGZO异质结的导带偏移和价带偏移 | 第52-53页 |
| 5.2 不同氮气掺杂量对IGZO(N)/Si异质结的能带偏移的影响 | 第53-59页 |
| 5.2.1 IGZO(N)/Si薄膜制备条件 | 第53页 |
| 5.2.2 IGZO(N)/Si异质结的XPS分析 | 第53-55页 |
| 5.2.3 IGZO(N)薄膜的透射和带隙 | 第55页 |
| 5.2.4 IGZO(N)/Si异质结的导带偏移和价带偏移 | 第55-59页 |
| 5.3 本章小节 | 第59-61页 |
| 第六章 HfO_xN_y/IGZO MOS和铟镓锌氧薄膜晶体管的研究 | 第61-76页 |
| 6.1 HfO_xN_y/IGZO MOS的研究 | 第61-71页 |
| 6.1.1 HfO_xN_y/IGZO MOS的制备条件 | 第61-62页 |
| 6.1.2 HfO_xN_y/IGZO异质结的XPS分析 | 第62-63页 |
| 6.1.3 HfO_xN_y/IGZO异质结的导带偏移和价带偏移 | 第63-66页 |
| 6.1.4 HfO_xN_y/IGZO MOS的C-V研究 | 第66-68页 |
| 6.1.5 HfO_xN_y/IGZO MOS的I-V和漏流机制研究 | 第68-71页 |
| 6.2 铟镓锌氧薄膜晶体管 | 第71-74页 |
| 6.2.1 铟镓锌氧薄膜晶体管的制备条件 | 第72页 |
| 6.2.2 铟镓锌氧薄膜晶体管的输出特性曲线和转移特性曲线 | 第72-74页 |
| 6.3 本章小结 | 第74-76页 |
| 第七章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 7.1 结论 | 第76-77页 |
| 7.2 有待探讨的问题 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-86页 |
| 附录：硕士期间发表的论文 | 第86-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
