| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 硅基电光调制器的发展现状 | 第12-13页 |
| 1.3 硅基电光调制器的分类 | 第13-17页 |
| 1.3.1 电学结构的分类 | 第13-14页 |
| 1.3.2 光学结构的分类 | 第14-16页 |
| 1.3.3 电光调制器的性能参数 | 第16-17页 |
| 1.4 基于场致线性电光效应的硅基电光调制器的研究意义及创新点 | 第17页 |
| 1.5 本文的工作 | 第17-19页 |
| 第2章 硅基电光调制器的理论基础 | 第19-31页 |
| 2.1 电光效应 | 第19-24页 |
| 2.1.1 Pockles电光效应 | 第19-23页 |
| 2.1.2 Kerr电光效应 | 第23-24页 |
| 2.2 应力诱导的线性电光效应 | 第24-26页 |
| 2.3 在电场作用下硅材料的对称性改变 | 第26-31页 |
| 第3章 基于场致线性电光效应的硅基电光调制器的基本理论 | 第31-46页 |
| 3.1 硅材料场致线性电光效应的研究 | 第31页 |
| 3.2 在晶向为[111]加电场诱导的场致线性电光效应 | 第31-35页 |
| 3.3 在晶向为[001]加电场诱导的场致线性电光效应 | 第35-39页 |
| 3.4 在晶向为[011]加电场诱导的场致线性电光效应 | 第39-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 基于场致线性电光效应的硅基电光调制器的电学结构设计 | 第46-78页 |
| 4.1 SILVACO TCAD软件简介 | 第46-50页 |
| 4.1.1 半导体器件仿真软件 | 第46页 |
| 4.1.2 模拟数值模型 | 第46-48页 |
| 4.1.3 网格划分 | 第48-49页 |
| 4.1.4 矩形网格 | 第49页 |
| 4.1.5 三角形网格 | 第49-50页 |
| 4.2 处于耗尽态的MIS电容结构的特性研究 | 第50-56页 |
| 4.2.1 器件原理介绍 | 第50-51页 |
| 4.2.2 模型参数设定 | 第51-52页 |
| 4.2.3 耗尽态的MIS结构的阀值电压 | 第52页 |
| 4.2.4 电场分布的仿真结果 | 第52-56页 |
| 4.3 反偏的肖特基势垒结构的特性研究 | 第56-63页 |
| 4.3.1 器件原理介绍 | 第56页 |
| 4.3.2 器件数值模型 | 第56-57页 |
| 4.3.3 模型参数设定 | 第57-59页 |
| 4.3.4 肖特基势垒结构的阀值电压 | 第59页 |
| 4.3.5 电场分布的模拟结果 | 第59-63页 |
| 4.4 反偏的PIN结构的特性研究 | 第63-70页 |
| 4.4.1 器件原理介绍 | 第63-64页 |
| 4.4.2 模型参数设定 | 第64-65页 |
| 4.4.3 反偏的PIN结构的阀值电压 | 第65-66页 |
| 4.4.4 电场分布的仿真结果 | 第66-70页 |
| 4.5 反偏的PN结构的特性研究 | 第70-76页 |
| 4.5.1 器件原理介绍 | 第70-71页 |
| 4.5.2 模型参数设定 | 第71-72页 |
| 4.5.3 反偏的PN结构的阀值电压 | 第72-73页 |
| 4.5.4 电场分布的仿真结果 | 第73-76页 |
| 4.6 本章小结 | 第76-78页 |
| 第5章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 个人简历 | 第84页 |
