| 中文摘要 | 第5-6页 |
| 英文摘要 | 第6页 |
| 致谢 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1．1 InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的研究进展 | 第9-10页 |
| 1．2 980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的研究热点及现状 | 第10-11页 |
| 1．3 半导体激光器的热特性及其对各种性能的影响 | 第11-12页 |
| 1．4 半导体激光器热特性的研究现状及发展动态 | 第12-13页 |
| 1．5 本论文将进行的工作 | 第13-17页 |
| 第二章 980nm新型结构半导体激光器的工作机理及特性 | 第17-31页 |
| 2．1 980nm新型结构半导体激光器的工作机理及优越性 | 第17-18页 |
| 2．2 980nm新型结构半导体激光器的工作特性 | 第18-30页 |
| 2．2．1 新型结构半导体激光器材料结构外延生长 | 第18-21页 |
| 2．2．2 新型结构半导体激光器的效率 | 第21-23页 |
| 2．2．3 新型结构半导体激光器阈值增益 | 第23-24页 |
| 2．2．4 新型结构半导体激光器PVI特性 | 第24-26页 |
| 2．2．5 新型结构半导体激光器的光谱 | 第26-28页 |
| 2．2．6 新型结构半导体激光器的模式 | 第28-30页 |
| 2．3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 新型结构激光器热学特性分析 | 第31-55页 |
| 3．1 激光器特性参数与温度的关系 | 第31-34页 |
| 3．1．1 发射波长与温度的关系 | 第31-32页 |
| 3．1．2 P-I特性与温度的关系 | 第32-34页 |
| 3．2 热源分析 | 第34-38页 |
| 3．3 一维热传导模型 | 第38-49页 |
| 3．3．1 一维热传导方程的建立 | 第38-40页 |
| 3．3．2 一维热传导差分方程的建立及其网格化 | 第40-42页 |
| 3．3．3 模型数据及结果分析 | 第42-49页 |
| 3．4 激光器连续工作条件 | 第49-51页 |
| 3．5 最佳工作电流 | 第51-52页 |
| 3．6 本章小结 | 第52-55页 |
| 第四章 新型结构半导体激光器欧姆接触的研究 | 第55-69页 |
| 4．1 欧姆接触的原理介绍 | 第56-60页 |
| 4．1．1 机理 | 第56-58页 |
| 4．1．2 表征 | 第58-59页 |
| 4．1．3 欧姆接触的实现 | 第59-60页 |
| 4．2 比接触电阻的实验方案及测量结果 | 第60-65页 |
| 4．2．1 实验方案的设计 | 第60-61页 |
| 4．2．2 样品的制备 | 第61-62页 |
| 4．2．3 实验结果与分析 | 第62-65页 |
| 4．3 新型激光器接触电阻的优化及分析 | 第65-67页 |
| 4．3．1 样品结构 | 第65-66页 |
| 4．3．2 实验条件 | 第66页 |
| 4．3．3 实验结果 | 第66-67页 |
| 4．4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 常规InGaAs/GaAs量子阱激光器特性的优化 | 第69-85页 |
| 5．1 提高斜率效率 | 第69-70页 |
| 5．2 减小阈值 | 第70-74页 |
| 5．2．1 InGaAs/GaAs应变量子阱激光器的阈值电流密度 | 第70-73页 |
| 5．2．2 多量子阱激光器的阈值电流 | 第73-74页 |
| 5．3 改善远场特性 | 第74-78页 |
| 5．3．1 远场水平发散角 | 第74-75页 |
| 5．3．2 垂直发散角 | 第75-76页 |
| 5．3．3 工艺改进 | 第76-78页 |
| 5．4 改善光谱 | 第78-79页 |
| 5．5 功率-电流曲线线性度的改善 | 第79-83页 |
| 5．6 本章小结 | 第83-85页 |
| 总结 | 第85-86页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第86页 |
