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铟掺杂有序介孔氧化镍气敏性能研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第10-20页
    1.1 研究背景及意义第10-11页
    1.2 气敏传感器——基于金属氧化物半导体第11-12页
        1.2.1 概述第11-12页
        1.2.2 金属氧化物半导体气敏传感机理第12页
    1.3 纳米材料第12-14页
        1.3.1 纳米材料的性质第12-13页
        1.3.2 纳米材料制备方法第13-14页
    1.4 气敏性能的影响因素——金属氧化物半导体第14-17页
    1.5 氧化镍气体传感器第17-19页
        1.5.1 氧化镍简介第17页
        1.5.2 研究现状——基于氧化镍气敏传感器第17-19页
    1.6 本论文的选题思路和主要工作第19-20页
第2章 铟掺杂有序介孔氧化镍的制备及气敏性能检测第20-40页
    2.1 引言第20页
    2.2 实验过程第20-24页
        2.2.1 实验试剂与仪器第20-21页
        2.2.2 铟掺杂有序多孔氧化镍纳米材料的制备第21-22页
        2.2.3 基于铟掺杂有序介孔氧化镍材料的表征第22页
        2.2.4 铟掺杂有序介孔氧化镍的气敏特性第22-24页
    2.3 氧化铟掺杂有序介孔氧化镍纳米材料的结构第24-29页
    2.4 铟掺杂有序介孔氧化镍气敏性能第29-36页
        2.4.1 测试系统第29页
        2.4.2 气敏性能第29-36页
    2.5 铟掺杂有序介孔氧化镍的气敏机理第36-40页
第3章 结论和展望第40-42页
参考文献第42-50页
攻读硕士期间已发表的论文第50-52页
致谢第52页

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