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EAST托卡马克上聚变中子诊断技术研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 引言第12-20页
    1.1 受控核聚变与托卡马克磁约束装置第13-15页
    1.2 中子诊断在磁约束聚变研究中的意义及进展第15-17页
    1.3 EAST托卡马克装置上的中子诊断发展概况第17-19页
    1.4 论文主要研究内容简介第19-20页
第2章 聚变中子辐射特性与诊断技术第20-48页
    2.1 托卡马克上的中子辐射源第20-26页
        2.1.1 聚变中子第20-21页
        2.1.2 光致中子第21-24页
        2.1.3 散射中子第24-26页
    2.2 托卡马克聚变中子发射率与中子能谱第26-32页
        2.2.1 托卡马克等离子体磁面位形第26-28页
        2.2.2 聚变中子发射率及产额第28-31页
        2.2.3 聚变中子能谱第31-32页
    2.3 中性束与离子回旋加热第32-36页
    2.4 中子诊断技术与模拟分析第36-45页
        2.4.1 中子产额测量第37-41页
        2.4.2 中子发射率空间分布测量第41-42页
        2.4.3 中子能谱测量第42-44页
        2.4.4 中子模拟计算程序第44-45页
    2.5 EAST上的中子诊断技术方案第45-47页
    2.6 本章小结第47-48页
第3章 EAST上中子注量测量系统研究第48-88页
    3.1 EAST大厅内部中子注量分布计算第48-52页
    3.2 EAST上中子注量测量系统布局规划第52-54页
    3.3 中子注量探测器组件第54-66页
        3.3.1 ~3He正比计数管及前放第54-56页
        3.3.2 ~(235)U裂变电离室及前放第56-59页
        3.3.3 裂变室探头噪声及磁场影响测试第59-62页
        3.3.4 中子注量探测器慢化与吸收体第62-66页
    3.4 中子注量测量信号处理与采集第66-76页
        3.4.1 脉冲信号成形放大及甄别处理第67-70页
        3.4.2 模拟计数采集第70-74页
        3.4.3 数字化计数与均方电压采集第74-76页
    3.5 中子注量信号传输第76-77页
    3.6 中子注量测量系统刻度第77-87页
        3.6.1 中子注量探测器绝对探测效率刻度第77-80页
        3.6.2 EAST装置中子输运原位刻度第80-84页
        3.6.3 坎贝尔模式采集刻度第84-87页
    3.7 本章小结第87-88页
第4章 EAST上中子相机诊断系统研究第88-131页
    4.1 中子相机诊断视线第88-91页
    4.2 中子相机准直屏蔽体第91-104页
        4.2.1 观测视线分布设计第91-93页
        4.2.2 准直屏蔽体结构设计第93-96页
        4.2.3 准直屏蔽性能分析第96-104页
    4.3 中子相机探测器第104-109页
    4.4 中子相机诊断信号采集与分析第109-126页
        4.4.1 模拟信号过零时间甄别法第109-116页
        4.4.2 数字信号两门积分甄别法第116-126页
    4.5 中子相机诊断的相对刻度第126-129页
    4.6 本章小结第129-131页
第5章 中子能谱诊断系统研究第131-144页
    5.1 中子与γ射线在液闪内的能量沉积第131-132页
    5.2 BC-501A液闪谱仪γ能量刻度第132-135页
    5.3 BC-501A液闪谱仪中子能量刻度第135-138页
    5.4 液闪中子谱仪的反冲质子谱解谱第138-140页
    5.5 液闪中子谱仪在EAST上的安装布置第140-143页
    5.6 本章小结第143-144页
第6章 中子诊断在EAST实验中的应用研究第144-162页
    6.1 聚变中子总产额测量第144-145页
    6.2 离子温度诊断第145-148页
    6.3 ICRF辅助加热性能及中子产额定标律研究第148-151页
    6.4 NBI加热时的快离子慢化与损失研究第151-161页
    6.5 本章小结第161-162页
第7章 总结与展望第162-165页
    7.1 工作总结第162-163页
    7.2 特色与创新第163-164页
    7.3 展望第164-165页
参考文献第165-175页
致谢第175-177页
攻读学位期间发表文章及申请专利第177-178页

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