EAST托卡马克上聚变中子诊断技术研究
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 引言 | 第12-20页 |
1.1 受控核聚变与托卡马克磁约束装置 | 第13-15页 |
1.2 中子诊断在磁约束聚变研究中的意义及进展 | 第15-17页 |
1.3 EAST托卡马克装置上的中子诊断发展概况 | 第17-19页 |
1.4 论文主要研究内容简介 | 第19-20页 |
第2章 聚变中子辐射特性与诊断技术 | 第20-48页 |
2.1 托卡马克上的中子辐射源 | 第20-26页 |
2.1.1 聚变中子 | 第20-21页 |
2.1.2 光致中子 | 第21-24页 |
2.1.3 散射中子 | 第24-26页 |
2.2 托卡马克聚变中子发射率与中子能谱 | 第26-32页 |
2.2.1 托卡马克等离子体磁面位形 | 第26-28页 |
2.2.2 聚变中子发射率及产额 | 第28-31页 |
2.2.3 聚变中子能谱 | 第31-32页 |
2.3 中性束与离子回旋加热 | 第32-36页 |
2.4 中子诊断技术与模拟分析 | 第36-45页 |
2.4.1 中子产额测量 | 第37-41页 |
2.4.2 中子发射率空间分布测量 | 第41-42页 |
2.4.3 中子能谱测量 | 第42-44页 |
2.4.4 中子模拟计算程序 | 第44-45页 |
2.5 EAST上的中子诊断技术方案 | 第45-47页 |
2.6 本章小结 | 第47-48页 |
第3章 EAST上中子注量测量系统研究 | 第48-88页 |
3.1 EAST大厅内部中子注量分布计算 | 第48-52页 |
3.2 EAST上中子注量测量系统布局规划 | 第52-54页 |
3.3 中子注量探测器组件 | 第54-66页 |
3.3.1 ~3He正比计数管及前放 | 第54-56页 |
3.3.2 ~(235)U裂变电离室及前放 | 第56-59页 |
3.3.3 裂变室探头噪声及磁场影响测试 | 第59-62页 |
3.3.4 中子注量探测器慢化与吸收体 | 第62-66页 |
3.4 中子注量测量信号处理与采集 | 第66-76页 |
3.4.1 脉冲信号成形放大及甄别处理 | 第67-70页 |
3.4.2 模拟计数采集 | 第70-74页 |
3.4.3 数字化计数与均方电压采集 | 第74-76页 |
3.5 中子注量信号传输 | 第76-77页 |
3.6 中子注量测量系统刻度 | 第77-87页 |
3.6.1 中子注量探测器绝对探测效率刻度 | 第77-80页 |
3.6.2 EAST装置中子输运原位刻度 | 第80-84页 |
3.6.3 坎贝尔模式采集刻度 | 第84-87页 |
3.7 本章小结 | 第87-88页 |
第4章 EAST上中子相机诊断系统研究 | 第88-131页 |
4.1 中子相机诊断视线 | 第88-91页 |
4.2 中子相机准直屏蔽体 | 第91-104页 |
4.2.1 观测视线分布设计 | 第91-93页 |
4.2.2 准直屏蔽体结构设计 | 第93-96页 |
4.2.3 准直屏蔽性能分析 | 第96-104页 |
4.3 中子相机探测器 | 第104-109页 |
4.4 中子相机诊断信号采集与分析 | 第109-126页 |
4.4.1 模拟信号过零时间甄别法 | 第109-116页 |
4.4.2 数字信号两门积分甄别法 | 第116-126页 |
4.5 中子相机诊断的相对刻度 | 第126-129页 |
4.6 本章小结 | 第129-131页 |
第5章 中子能谱诊断系统研究 | 第131-144页 |
5.1 中子与γ射线在液闪内的能量沉积 | 第131-132页 |
5.2 BC-501A液闪谱仪γ能量刻度 | 第132-135页 |
5.3 BC-501A液闪谱仪中子能量刻度 | 第135-138页 |
5.4 液闪中子谱仪的反冲质子谱解谱 | 第138-140页 |
5.5 液闪中子谱仪在EAST上的安装布置 | 第140-143页 |
5.6 本章小结 | 第143-144页 |
第6章 中子诊断在EAST实验中的应用研究 | 第144-162页 |
6.1 聚变中子总产额测量 | 第144-145页 |
6.2 离子温度诊断 | 第145-148页 |
6.3 ICRF辅助加热性能及中子产额定标律研究 | 第148-151页 |
6.4 NBI加热时的快离子慢化与损失研究 | 第151-161页 |
6.5 本章小结 | 第161-162页 |
第7章 总结与展望 | 第162-165页 |
7.1 工作总结 | 第162-163页 |
7.2 特色与创新 | 第163-164页 |
7.3 展望 | 第164-165页 |
参考文献 | 第165-175页 |
致谢 | 第175-177页 |
攻读学位期间发表文章及申请专利 | 第177-178页 |