| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第11-22页 |
| 1.1 射频集成电路的发展 | 第11-12页 |
| 1.2 射频CMOS 工艺技术 | 第12-19页 |
| 1.2.1 深注入N 阱 | 第14页 |
| 1.2.2 变容二极管的制造 | 第14-16页 |
| 1.2.3 MIM 电容制造 | 第16-18页 |
| 1.2.4 电阻制造 | 第18页 |
| 1.2.5 高品质电感和变压器的制造 | 第18-19页 |
| 1.3 本文的主要研究工作 | 第19-20页 |
| 1.4 本章小结 | 第20-22页 |
| 第二章 肖特基二极管的工作原理 | 第22-36页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 功函数和电子亲和势 | 第22-23页 |
| 2.3 肖特基势垒的形成 | 第23-26页 |
| 2.4 表面态对肖特基势垒高度的影响 | 第26-27页 |
| 2.5 实际的金属半导体接触 | 第27-29页 |
| 2.5.1 整流接触 | 第27-28页 |
| 2.5.2 欧姆接触 | 第28-29页 |
| 2.6 基于RF CMOS 工艺的肖特基二极管发展现状 | 第29-33页 |
| 2.7 肖特基二极管在射频电路中的应用 | 第33-35页 |
| 2.8 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 版图设计考虑 | 第36-42页 |
| 3.1 肖特基二极管的结构 | 第36-39页 |
| 3.2 接触金属材料的特性 | 第39-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 直流特性建模 | 第42-54页 |
| 4.1 肖特基二极管的理想I-V 特性 | 第42-44页 |
| 4.2 与理想情况的偏差 | 第44-46页 |
| 4.3 直流参数提取 | 第46-51页 |
| 4.3.1 正向I-V 特性 | 第46-49页 |
| 4.3.2 反向I-V 特性 | 第49-51页 |
| 4.4 带有保护环结构的肖特基二极管直流特性建模 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 高频特性建模和参数提取 | 第54-73页 |
| 5.1 RF CMOS 测量技术 | 第54-55页 |
| 5.2 去嵌技术 | 第55-58页 |
| 5.3 S 参数建模 | 第58-61页 |
| 5.3.1 肖特基二极管结电容 | 第58-59页 |
| 5.3.2 金属导体之间的寄生效应 | 第59-60页 |
| 5.3.3 硅衬底的容性寄生耦合损耗 | 第60-61页 |
| 5.4 RF 特性参数提取 | 第61-72页 |
| 5.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 肖特基二极管的ESD 性能 | 第73-83页 |
| 6.1 ESD 保护器件工作原理 | 第73-74页 |
| 6.2 肖特基二极管的优点 | 第74-75页 |
| 6.3 传输线脉冲测试 | 第75-78页 |
| 6.3.1 恒阻抗TLP 系统工作原理 | 第76-77页 |
| 6.3.2 ESD 保护器件性能指标 | 第77-78页 |
| 6.4 测试数据与分析 | 第78-82页 |
| 6.4.1 反向偏置特性 | 第78-80页 |
| 6.4.2 正向偏置特性 | 第80-82页 |
| 6.5 本章小结 | 第82-83页 |
| 第七章 全文总结 | 第83-85页 |
| 7.1 主要结论 | 第83页 |
| 7.2 研究展望 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-90页 |
| 符号与标记（附录1） | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第92-95页 |