| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1．1 论文研究的目的和意义 | 第9-12页 |
| 1．2 国内外研究现状 | 第12-18页 |
| 1．2．1 覆冰及其分类 | 第12-13页 |
| 1．2．2 绝缘子覆冰的研究 | 第13-16页 |
| 1．2．3 海拔对污秽绝缘子覆冰闪络的影响 | 第16-18页 |
| 1．3 本课题研究的主要内容 | 第18页 |
| 1．4 小结 | 第18-19页 |
| 2 试验装置及方法 | 第19-28页 |
| 2．1 试品 | 第19-20页 |
| 2．2 试验装置 | 第20-22页 |
| 2．3 试验方法 | 第22-25页 |
| 2．3．1 污秽的试验方法 | 第22-23页 |
| 2．3．2 覆冰及其闪络试验方法 | 第23-24页 |
| 2．3．3 海拔对覆冰绝缘子闪络电压影响的试验方法 | 第24-25页 |
| 2．4 特征量及测量 | 第25-27页 |
| 2．4．1 覆冰绝缘子的特性量 | 第25-26页 |
| 2．4．2 主要参数的测量 | 第26-27页 |
| 2．5 小结 | 第27-28页 |
| 3 覆冰、低气压和污秽共存环境中绝缘子的交流闪络特性 | 第28-43页 |
| 3．1 覆冰量对绝缘子最低交流冰闪电压的影响 | 第28-31页 |
| 3．2 气压对覆冰绝缘子交流闪络电压的影响 | 第31-36页 |
| 3．3 污秽对绝缘子最低交流冰闪电压的影响 | 第36-38页 |
| 3．4 电导率对覆冰绝缘子最低交流闪络电压的影响 | 第38-40页 |
| 3．5 覆冰绝缘子串长对最低交流闪络电压的影响 | 第40-41页 |
| 3．6 小结 | 第41-43页 |
| 4 覆冰、低气压和污秽综合作用下绝缘子闪络电压的校正 | 第43-54页 |
| 4．1 引言 | 第43页 |
| 4．2 覆冰量W影响的校正 | 第43-46页 |
| 4．2．1 FXBW-10/70型合成绝缘子覆冰量影响的校正 | 第43-44页 |
| 4．2．2 FXBW-25/100-2型合成绝缘子覆冰量影响的校正 | 第44-45页 |
| 4．2．3 3片XP-70和XWP-70瓷绝缘子覆冰量影响的校正 | 第45-46页 |
| 4．3 海拔H（气压P）影响的校正 | 第46-48页 |
| 4．3．1 FXBW-10/70型合成绝缘子海拔H（气压P）影响的校正 | 第46-47页 |
| 4．3．2 FXBW-25/100-2型合成绝缘子海拔H（气压P）影响的校正 | 第47页 |
| 4．3．3 XP-70和XWP-70瓷绝缘子海拔H（气压P）影响的校正 | 第47-48页 |
| 4．4 污秽度ESDD影响的校正 | 第48-49页 |
| 4．4．1 合成绝缘子ESDD影响的校正 | 第48-49页 |
| 4．4．2 瓷绝缘子串ESDD影响的校正 | 第49页 |
| 4．5 覆冰、低气压和污秽综合作用下的校正 | 第49-52页 |
| 4．5．1 10 kV合成绝缘子覆冰和海拔综合作用下的校正 | 第50页 |
| 4．5．2 27．5 kV合成绝缘子覆冰、低气压和污秽综合作用下的校正 | 第50-51页 |
| 4．5．3 3片XP-70和XWP-70瓷绝缘子串覆冰、低气压和污秽综合作用下的校正 | 第51-52页 |
| 4．5．4 35 kV和110kV合成绝缘子覆冰、低气压和污秽综合作用下的校正 | 第52页 |
| 4．6 小结 | 第52-54页 |
| 5 覆冰合成绝缘子交流闪络过程及机理初步分析 | 第54-63页 |
| 5．1 引言 | 第54页 |
| 5．2 覆冰对合成绝缘子电压分布的影响 | 第54-56页 |
| 5．3 覆冰合成绝缘子放电的物理过程 | 第56-59页 |
| 5．4 覆冰合成绝缘子的泄漏电流 | 第59-61页 |
| 5．5 覆冰合成绝缘子的极性效应 | 第61-62页 |
| 5．6 小结 | 第62-63页 |
| 6 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 附：作者在攻读硕士研究生期间发表的论文目录 | 第70页 |
