| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 前言 | 第11-14页 |
| 1.1 近紫光发光二极管的发展与应用 | 第11-12页 |
| 1.1.1 发光二极管的发展 | 第11页 |
| 1.1.2 近紫光发光二极管的应用 | 第11-12页 |
| 1.2 本论文的研究背景 | 第12-13页 |
| 1.3 本论文的研究目的与意义 | 第13页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第13-14页 |
| 第2章 极化效应物理基础 | 第14-30页 |
| 2.1 氮化物晶体结构 | 第14-15页 |
| 2.2 氮化物晶体中的缺陷 | 第15-16页 |
| 2.2.1 固有原子缺陷 | 第15页 |
| 2.2.2 错位原子 | 第15-16页 |
| 2.3 氮化物晶体中的位错 | 第16-18页 |
| 2.4 氮化物中的极化效应 | 第18-24页 |
| 2.4.1 应力与形变 | 第18-19页 |
| 2.4.2 极化效应 | 第19-23页 |
| 2.4.3 极化效应的影响 | 第23-24页 |
| 2.5 器件的物理基础 | 第24-26页 |
| 2.5.1 功函数 | 第24-25页 |
| 2.5.2 量子阱 | 第25页 |
| 2.5.3 量子限制斯塔克效应 | 第25-26页 |
| 2.6 降低极化效应的器件设计 | 第26-30页 |
| 2.6.1 沿着non-polar或semi-polar方向磊晶 | 第26-27页 |
| 2.6.2 渐变式或步阶状的量子阱结构设计 | 第27-28页 |
| 2.6.3 使用可降低极化不匹配度的四元氮化物 | 第28-30页 |
| 第3章 模拟软件与参数设定 | 第30-38页 |
| 3.1 模拟软件简介 | 第30-32页 |
| 3.1.1 扩散--漂移模型 | 第30-31页 |
| 3.1.2 k.p理论 | 第31-32页 |
| 3.1.3 SRH复合理论 | 第32页 |
| 3.2 物质参数设定 | 第32-35页 |
| 3.3 自由参数设定 | 第35-38页 |
| 第4章 极化效应对量子阱结构的近紫光发光二极管器件特性的影响 | 第38-49页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 模拟发光二极管器件结构 | 第38-39页 |
| 4.3 各层极化电荷的设定 | 第39-40页 |
| 4.4 模拟结果与分析 | 第40-48页 |
| 4.4.1 不同极化效应下器件的发光功率---电流情况 | 第40页 |
| 4.4.2 不同极化效应下器件内部的电场分布情况 | 第40-42页 |
| 4.4.3 不同极化效应下器件的内部的能带分布情况 | 第42-44页 |
| 4.4.4 不同极化效应下器件的载流子浓度分布情况及辐射再结合速率分布情况 | 第44-46页 |
| 4.4.5 不同极化效应下器件的内部的电流密度分布情况 | 第46-48页 |
| 4.5 结论 | 第48-49页 |
| 第5章 极化效应对晶格匹配量子阱结构的近紫光发光二极管器件特性的影响。 | 第49-60页 |
| 5.1 前言 | 第49页 |
| 5.2 模拟发光二极管器件结构 | 第49-50页 |
| 5.3 模拟结果与分析 | 第50-59页 |
| 5.3.1 极化匹配量子阱结构的发光功率与内部量子效率 | 第50-51页 |
| 5.3.2 极化匹配量子阱结构的能带分布 | 第51-53页 |
| 5.3.3 极化匹配量子阱结构的最后量子阱的势能分布 | 第53-54页 |
| 5.3.4 极化匹配量子阱结构的电子电流分布 | 第54-55页 |
| 5.3.5 极化匹配量子阱结构的俄歇复合率 | 第55-59页 |
| 5.4 结论 | 第59-60页 |
| 第6章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 在学研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
