| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 InAs/InP“芯-包层”纳米线研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第11页 |
| 1.3 论文的主要工作及成果 | 第11-12页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第12-13页 |
| 2 InAs/InP“芯-包层”纳米线生长方法介绍 | 第13-22页 |
| 2.1 InAs/InP“芯-包层”纳米线生长 | 第13-21页 |
| 2.1.1 生长方法简介 | 第13-15页 |
| 2.1.2 “芯-包层”纳米线的实验生长及表征 | 第15-21页 |
| 2.2 本章小结 | 第21-22页 |
| 3 单根纳米线大规模排列 | 第22-29页 |
| 3.1 纳米线排列方法简介 | 第22-27页 |
| 3.1.1 界面纳米线排列 | 第22-24页 |
| 3.1.2 微流体动力纳米线排列 | 第24-25页 |
| 3.1.3 介电泳法纳米线排列 | 第25-27页 |
| 3.2 单根纳米线大规模排列的实验研究 | 第27-28页 |
| 3.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 4 纳米线场晶体管阵列研制 | 第29-39页 |
| 4.1 光刻掩膜版的设计 | 第29-30页 |
| 4.2 MEMS工艺流程 | 第30-37页 |
| 4.2.1 硅片的清洗 | 第30页 |
| 4.2.2 栅氧化层制备 | 第30-31页 |
| 4.2.3 制备插齿电极 | 第31-32页 |
| 4.2.4 制备表面微槽 | 第32-33页 |
| 4.2.5 纳米线排列 | 第33-35页 |
| 4.2.6 制作顶电极 | 第35-37页 |
| 4.3 本章小结 | 第37-39页 |
| 5 单根纳米线器件电学特性的理论与实验研究 | 第39-53页 |
| 5.1 “芯-包层”纳米线导电特性的分析理论 | 第39-45页 |
| 5.2 测试设备搭建 | 第45页 |
| 5.3 InAs/InP“芯-包层”纳米线晶体管的I-V特性曲线测试 | 第45-48页 |
| 5.4 包层厚度对纳米线器件电学特性影响 | 第48-52页 |
| 5.4.1 包层厚度对纳米线电子迁移的影响 | 第48-49页 |
| 5.4.2 包层厚度对纳米线电子密度的影响 | 第49-50页 |
| 5.4.3 实验结果分析 | 第50-52页 |
| 5.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
