磁控溅射法制备柔性基底ZAO薄膜及其性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 透明导电氧化物薄膜的分类、性质及制备 | 第11页 |
| 1.3 ZAO透明导电膜及其性质 | 第11-13页 |
| 1.4 ZAO薄膜的制备方法及国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.4.1 溶胶-凝胶法 | 第13页 |
| 1.4.2 化学气相沉积法 | 第13-14页 |
| 1.4.3 喷雾热解法 | 第14页 |
| 1.4.4 脉冲激光沉积法 | 第14-15页 |
| 1.4.5 分子束外延法 | 第15页 |
| 1.4.6 溅射法 | 第15-16页 |
| 1.5 ZAO薄膜研究工作的发展趋势和方向 | 第16-18页 |
| 1.6 ZAO选题目的及主要研究内容 | 第18-20页 |
| 1.6.1 本文研究的意义 | 第18-19页 |
| 1.6.2 本论文的主要工作 | 第19-20页 |
| 第2章 磁控溅射原理 | 第20-28页 |
| 2.1 磁控溅射现象 | 第20页 |
| 2.2 磁控溅射法沉积薄膜 | 第20-24页 |
| 2.2.1 磁控溅射法原理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 溅射沉积法的分类 | 第22页 |
| 2.2.3 磁控溅射法的特点 | 第22-23页 |
| 2.2.4 射频溅射镀膜原理 | 第23-24页 |
| 2.3 薄膜的生长机理 | 第24-26页 |
| 2.3.1 新相形核阶段 | 第24页 |
| 2.3.2 薄膜生长阶段 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 第3章 ZAO薄膜的制备及性能表征 | 第28-44页 |
| 3.1 实验仪器及设备 | 第28-32页 |
| 3.1.1 真空抽气系统 | 第28-30页 |
| 3.1.2 溅射镀膜室 | 第30-31页 |
| 3.1.3 检测组件 | 第31-32页 |
| 3.2 ZAO薄膜的制备 | 第32-34页 |
| 3.2.1 选择实验材料 | 第32页 |
| 3.2.2 基片的清洗 | 第32页 |
| 3.2.3 清洁靶材 | 第32-33页 |
| 3.2.4 安装基片和靶材 | 第33页 |
| 3.2.5 制备薄膜 | 第33-34页 |
| 3.3 ZAO薄膜样品 | 第34-37页 |
| 3.4 薄膜表征仪器 | 第37-42页 |
| 3.4.1 表面形貌的分析 | 第37-38页 |
| 3.4.2 晶体结构的分析 | 第38-39页 |
| 3.4.3 光学性能的分析 | 第39-41页 |
| 3.4.4 电学性能的分析 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 工艺参数对ZAO薄膜的性能影响 | 第44-72页 |
| 4.1 溅射功率对薄膜性能的影响 | 第45-50页 |
| 4.1.1 溅射功率对薄膜表面形貌的影响 | 第46-48页 |
| 4.1.2 溅射功率对薄膜透光性能的影响 | 第48-49页 |
| 4.1.3 溅射功率对薄膜导电性能的影响 | 第49-50页 |
| 4.1.4 实验结论 | 第50页 |
| 4.2 工作压力对薄膜性能的影响 | 第50-56页 |
| 4.2.1 工作压力对薄膜表面形貌的影响 | 第51-54页 |
| 4.2.2 工作压力对薄膜透光性能的影响 | 第54-55页 |
| 4.2.3 工作压力对薄膜导电性能的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.4 实验结论 | 第56页 |
| 4.3 溅射时间对薄膜性能的影响 | 第56-62页 |
| 4.3.1 溅射时间对薄膜表面形貌的影响 | 第57-59页 |
| 4.3.2 溅射时间对薄膜透光性能的影响 | 第59-61页 |
| 4.3.3 溅射时间对薄膜导电性能的影响 | 第61-62页 |
| 4.3.4 实验结论 | 第62页 |
| 4.4 基片温度对薄膜性能的影响 | 第62-69页 |
| 4.4.1 基片温度对薄膜表面形貌的影响 | 第63-66页 |
| 4.4.2 基片温度对薄膜透光性能的影响 | 第66-67页 |
| 4.4.3 基片温度对薄膜导电性能的影响 | 第67-68页 |
| 4.4.4 实验结论 | 第68-69页 |
| 4.5 基片温度为125℃时薄膜的性能研究 | 第69-71页 |
| 4.6 本章小结 | 第71-72页 |
| 第5章 结论与展望 | 第72-74页 |
| 5.1 结论 | 第72页 |
| 5.2 展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
