| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第12-25页 |
| 1.1 太阳能电池发展及现状 | 第12-13页 |
| 1.2 量子点太阳能电池的理论 | 第13-17页 |
| 1.2.1 多激子产生效应 | 第14-15页 |
| 1.2.2 量子点中间带机理 | 第15-17页 |
| 1.3 富硅氮化硅薄膜的介绍 | 第17-20页 |
| 1.3.1 氮化硅薄膜的介绍 | 第17页 |
| 1.3.2 富硅氮化硅的结构 | 第17页 |
| 1.3.3 Si-QD嵌入的氮化硅结构和发光机制 | 第17-19页 |
| 1.3.4 SiNx的带间跃迁荧光 | 第19-20页 |
| 1.3.5 SiNx中的缺陷态发光中心 | 第20页 |
| 1.4 富硅氮化硅薄膜的制备方法 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 HWCVD技术介绍和薄膜的性能检测技术 | 第25-34页 |
| 2.1. HWCVD沉积法的发展及其在工业上的优势 | 第25-26页 |
| 2.2 HWCVD沉积原理 | 第26-28页 |
| 2.4 实验样品的表征与分析方法 | 第28-32页 |
| 2.4.1 X射线光电子能谱分析 | 第28-29页 |
| 2.4.2 拉曼散射谱分析 | 第29页 |
| 2.4.3 傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第29-31页 |
| 2.4.4 紫外-可见光吸收谱(UV-VIS) | 第31页 |
| 2.4.5 光致发光谱线(PL) | 第31-32页 |
| 2.4.6 扫描电镜(SEM) | 第32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 氮气、硅烷制备富硅氮化硅 | 第34-41页 |
| 3.1 氮化硅的制备 | 第34页 |
| 3.2 氮化硅性能分析 | 第34-39页 |
| 3.2.1 透射光谱及带隙分析 | 第34-36页 |
| 3.2.2 FTIR光谱讨论 | 第36-37页 |
| 3.2.3. Raman散射谱 | 第37-38页 |
| 3.2.4 PL光谱 | 第38-39页 |
| 3.2.5. X射线光电子能谱 | 第39页 |
| 结论 | 第39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第四章 氨气制备富硅氮化硅及其性能的研究 | 第41-56页 |
| 4.1 氨气流量对氮化硅薄膜的影响 | 第41-47页 |
| 4.1.1 实验 | 第41页 |
| 4.1.2 结果与分析 | 第41-46页 |
| 4.1.3 结论 | 第46-47页 |
| 4.2 热丝温度对氮化硅薄膜的影响 | 第47-54页 |
| 4.2.1 实验 | 第47页 |
| 4.2.2 结果与分析 | 第47-54页 |
| 4.2.3 结论 | 第54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第五章 论文的主要结论及展望 | 第56-58页 |
| 5.1 论文的主要结论 | 第56页 |
| 5.2 展望 | 第56-58页 |
| 攻读硕士期间发表和完成的论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |