| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-39页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 噻咯的合成 | 第11-13页 |
| 1.3 噻咯的修饰 | 第13-15页 |
| 1.4 噻咯的应用 | 第15-34页 |
| 1.4.1 噻咯衍生物作为光电材料 | 第15-22页 |
| 1.4.2 噻咯衍生物作为荧光传感器 | 第22-29页 |
| 1.4.3 细胞成像 | 第29-34页 |
| 1.5 论文的立题思想 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-39页 |
| 第二章 2,5-位取代噻咯分子的合成与应用 | 第39-57页 |
| 2.1 引言 | 第39-40页 |
| 2.2 原料及试剂 | 第40页 |
| 2.3 测量仪器 | 第40-41页 |
| 2.4 2,5-位取代噻咯的合成与表征 | 第41-44页 |
| 2.5 实验结果与讨论 | 第44-52页 |
| 2.5.1 光学性能 | 第44-46页 |
| 2.5.2 热稳定性分析 | 第46-47页 |
| 2.5.3 电化学性能 | 第47页 |
| 2.5.4 电致发光性能 | 第47-52页 |
| 2.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 第三章 2,5-位取代噻咯用溶液加工制备OLEDs器件 | 第57-70页 |
| 3.1 引言 | 第57-58页 |
| 3.2 原料及试剂 | 第58页 |
| 3.3 测量仪器 | 第58-59页 |
| 3.4 噻咯分子的合成与表征 | 第59-61页 |
| 3.5 实验结果与讨论 | 第61-65页 |
| 3.5.1 光学性能 | 第61-62页 |
| 3.5.2 热力学性能 | 第62-63页 |
| 3.5.3 电化学性能 | 第63-64页 |
| 3.5.4 电致发光性能 | 第64-65页 |
| 3.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 第四章 2,5-位取代的噻咯荧光染料的设计、合成与应用 | 第70-81页 |
| 4.1 引言 | 第70-71页 |
| 4.2 原料及试剂 | 第71页 |
| 4.3 测量仪器 | 第71-72页 |
| 4.4 实验操作 | 第72页 |
| 4.5 2,5-位噻咯荧光染料的合成与表征 | 第72-74页 |
| 4.6 实验结果与讨论 | 第74-77页 |
| 4.6.1 光学性能 | 第74-76页 |
| 4.6.2 细胞染色 | 第76-77页 |
| 4.7 本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 结论与展望 | 第81-83页 |
| 附录 | 第83-94页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 附件 | 第97页 |