GeH单层膜的研究与制备
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 GeH的研究背景和意义 | 第7-9页 |
| 1.2 国内外GeH研究现状及发展趋势 | 第9-11页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 CaGe_2材料制备研究 | 第13-40页 |
| 2.1 CaGe_2的结构和性质 | 第13-18页 |
| 2.2 反应温度对产物的影响 | 第18-36页 |
| 2.2.1 845℃下CaGe_2的制备与表征 | 第19-26页 |
| 2.2.2 1000℃下CaGe_2的制备与表征 | 第26-32页 |
| 2.2.3 锗粒表面CaGe_2的制备与表征 | 第32-36页 |
| 2.3 锗钙比例对产物的影响 | 第36-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 GeH的制备与表征 | 第40-48页 |
| 3.1 实验方法 | 第40-41页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第41-47页 |
| 3.2.1 GeH的表面形貌分析 | 第41-42页 |
| 3.2.2 GeH的X射线粉末衍射测试 | 第42-44页 |
| 3.2.3 GeH的拉曼分析 | 第44页 |
| 3.2.4 GeH的傅里叶变换红外光谱分析 | 第44-45页 |
| 3.2.5 GeH的X射线光电子分析 | 第45-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 GeH的机械剥离与表征 | 第48-59页 |
| 4.1 单层膜剥离 | 第48-53页 |
| 4.1.1 剥离前的清洗工艺 | 第48-49页 |
| 4.1.2 剥离胶带的选择 | 第49-51页 |
| 4.1.3 SiO_2/Si厚度的选择制备 | 第51-53页 |
| 4.2 单层膜的原子力显微镜表征 | 第53-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
