| 摘要 | 第10-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 第1章 绪论 | 第13-24页 |
| 1.1 拓扑能带理论 | 第13-17页 |
| 1.1.1 绝缘态 | 第13页 |
| 1.1.2 量子Hall态 | 第13-14页 |
| 1.1.3 TKNN不变量 | 第14-15页 |
| 1.1.4 石墨烯、Dirac电子和Haldane模型 | 第15-17页 |
| 1.2 Z2拓扑绝缘体 | 第17-20页 |
| 1.3 量子自旋Hall效应 | 第20-23页 |
| 1.3.1 石墨烯中的量子自旋Hall效应 | 第20-22页 |
| 1.3.2 HgTe/CdTe量子阱结构 | 第22-23页 |
| 1.4 三维拓扑绝缘体 | 第23-24页 |
| 第2章 密度泛函理论 | 第24-45页 |
| 2.1 从头算的基本原理 | 第24-35页 |
| 2.1.1 薛定谔(Schrodinger)方程以及三个基本近似 | 第24-29页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock方程和自洽场(self consistent field SCF)方法 | 第29-33页 |
| 2.1.3 电子相关 | 第33-35页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第35-43页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第35-37页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第37-40页 |
| 2.2.3 交换相关泛函 | 第40-42页 |
| 2.2.4 赝势方法(pseudo potential,PS) | 第42-43页 |
| 2.3 VASP程序包简介[21] | 第43-45页 |
| 第3章 声子谱方法在材料设计中的应用 | 第45-54页 |
| 3.1 声子谱介绍 | 第45页 |
| 3.2 计算声子谱的直接方法 | 第45-49页 |
| 3.3 针对六角形空间群材料的特殊处理 | 第49-54页 |
| 第4章 δ石墨炔：一种新型的拓扑绝缘体材料 | 第54-67页 |
| 4.1 δ石墨炔：新的石墨炔结构 | 第54-55页 |
| 4.2 δ石墨炔的能量稳定性 | 第55-58页 |
| 4.2.1 与同素异形体的能量比较 | 第55-57页 |
| 4.2.2 动力学稳定性的研究-声子谱的绘制 | 第57-58页 |
| 4.3 δ石墨炔电子结构分析 | 第58-62页 |
| 4.4 δ石墨炔中的自旋轨道耦合效应 | 第62-65页 |
| 4.5 δ石墨炔的Z2拓扑不变数 | 第65-67页 |
| 第5章 总结与展望 | 第67-68页 |
| 5.1 总结 | 第67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士研究生期间研究成果 | 第71-72页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第72页 |
