| 摘要 | 第8-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 主要符号表 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-36页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 ReRAM器件概述 | 第16-29页 |
| 1.2.1 ReRAM器件的结构及工作原理 | 第16-18页 |
| 1.2.2 ReRAM器件的材料体系 | 第18-22页 |
| 1.2.3 ReRAM器件的阻变机理 | 第22-29页 |
| 1.3 聚邻甲氧基苯胺(POMA)及课题的选取 | 第29-31页 |
| 本章参考文献 | 第31-36页 |
| 第二章 实验设备和测试分析方法 | 第36-43页 |
| 2.1 实验设备 | 第36-38页 |
| 2.1.1 旋涂仪(Spin-coating) | 第36-37页 |
| 2.1.2 电子束蒸发设备(E-Beam Evaporation) | 第37-38页 |
| 2.2 测试分析方法 | 第38-42页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM,Atomic Force Microscope) | 第38-40页 |
| 2.2.2 金相显微镜 | 第40页 |
| 2.2.3 半导体器件分析仪(Semiconductor Device Analyzer) | 第40-42页 |
| 本章参考文献 | 第42-43页 |
| 第三章 Al/POMA/ITO器件的制备、表征及机理分析 | 第43-54页 |
| 3.1 Al/POMA/ITO器件的制备 | 第43-45页 |
| 3.1.1 ITO衬底的清洗 | 第43-44页 |
| 3.1.2 POMA阻变功能层的制备 | 第44页 |
| 3.1.3 Al上电极的蒸镀 | 第44-45页 |
| 3.2 Al/POMA/ITO器件的性能测试 | 第45-49页 |
| 3.2.1 膜厚测试 | 第45页 |
| 3.2.2 电性能测试 | 第45-49页 |
| 3.3 Al/POMA/ITO器件的阻变机理分析 | 第49-53页 |
| 3.3.1 J-V特性的阻变机理分析 | 第49-50页 |
| 3.3.2 关于电阻和电极尺寸依赖关系的阻变机理分析 | 第50-51页 |
| 3.3.3 阻变机理总结 | 第51-53页 |
| 本章参考文献 | 第53-54页 |
| 第四章 GO增强的POMA基ReRAM的制备及简单性能测试 | 第54-61页 |
| 4.1 Al/POMA：GO/ITO器件的制备及I-V测试 | 第54-57页 |
| 4.1.1 Al/POMA：GO/ITO器件的制备 | 第54-55页 |
| 4.1.2 Al/POMA：GO/ITO器件的I-V测试 | 第55-57页 |
| 4.2 Al/POMA/GO/POMA/ITO器件的制备及I-V测试 | 第57-60页 |
| 4.2.l Al/POMA/GO/POMA/ITO器件的制备 | 第57-58页 |
| 4.2.2 Al/POMA/GO/POMA/ITO器件的I-V测试 | 第58-60页 |
| 本章参考文献 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 附件 | 第66页 |
