硅基过渡金属硫化物光电探测器的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 二维材料简介 | 第11-16页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第11-13页 |
| 1.2.2 过渡金属硫化物 | 第13-15页 |
| 1.2.3 其它二维材料 | 第15-16页 |
| 1.3 光电探测器 | 第16-20页 |
| 1.3.1 光电探测器工作原理 | 第16-17页 |
| 1.3.2 性能参数 | 第17-19页 |
| 1.3.3 常用光电探测半导体材料 | 第19-20页 |
| 1.4 二维材料光电探测器研究现状 | 第20-22页 |
| 1.5 本课题的研究意义 | 第22-23页 |
| 1.6 研究思路及结构安排 | 第23-24页 |
| 第二章 二维材料制备与表征 | 第24-32页 |
| 2.1 石墨烯制备、转移与表征 | 第24-28页 |
| 2.1.1 石墨烯制备 | 第24-25页 |
| 2.1.2 石墨烯转移 | 第25-27页 |
| 2.1.3 石墨烯表征 | 第27-28页 |
| 2.2 过渡金属硫化物制备、转移及表征 | 第28-31页 |
| 2.2.1 WS_2薄膜制备 | 第28-29页 |
| 2.2.2 WS_2薄膜转移 | 第29-30页 |
| 2.2.3 WS_2薄膜表征 | 第30-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 Graphene/Si肖特基结光电探测器 | 第32-41页 |
| 3.1 肖特基结工作原理 | 第32页 |
| 3.2 器件制备过程 | 第32-33页 |
| 3.3 性能测试 | 第33-39页 |
| 3.3.1 光电测试系统介绍 | 第33-35页 |
| 3.3.2 光电特性测试 | 第35-38页 |
| 3.3.3 低温下器件光响应特性 | 第38-39页 |
| 3.4 结果分析 | 第39-40页 |
| 3.4.1 光响应机理 | 第39-40页 |
| 3.4.2 击穿特性分析 | 第40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 WS_2/n-Si异质结光电探测器 | 第41-52页 |
| 4.1 器件的制作 | 第41-42页 |
| 4.2 性能测试 | 第42-48页 |
| 4.2.1 光电特性测试 | 第42-46页 |
| 4.2.2 器件在真空与低温环境下的响应特性 | 第46-48页 |
| 4.2.3 光电流产生位置研究 | 第48页 |
| 4.3 结果分析 | 第48-51页 |
| 4.3.1 光电特性 | 第48-49页 |
| 4.3.2 环境影响 | 第49-50页 |
| 4.3.3 光电流产生位置分析 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 WS_2/p-Si异质结光电探测器 | 第52-57页 |
| 5.1 器件制作 | 第52页 |
| 5.2 器件测试 | 第52-55页 |
| 5.2.1 光电性能测试 | 第52-54页 |
| 5.2.2 温度特性测测试 | 第54-55页 |
| 5.3 结果分析 | 第55-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第64-65页 |
