| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 本文研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 滤波器的基本原理 | 第14-22页 |
| 2.1 滤波器的分类 | 第14-15页 |
| 2.2 三种基本函数滤波器 | 第15页 |
| 2.3 滤波器的主要技术指标 | 第15-18页 |
| 2.4 滤波器的传输零点 | 第18-21页 |
| 2.4.1 串联LC谐振 | 第19页 |
| 2.4.2 并联LC谐振 | 第19-20页 |
| 2.4.3 交叉耦合 | 第20-21页 |
| 2.5 小结 | 第21-22页 |
| 第三章 LTCC阶梯阻抗谐振带通滤波器设计 | 第22-34页 |
| 3.1 SIR谐振器 | 第22-23页 |
| 3.1.1 SIR谐振器的结构演变 | 第22-23页 |
| 3.1.2 λ/4 SIR谐振器 | 第23页 |
| 3.2 LTCC技术 | 第23-26页 |
| 3.2.1 LTCC材料介绍 | 第24页 |
| 3.2.2 LTCC工艺流程 | 第24-25页 |
| 3.2.3 LTCC技术优势 | 第25-26页 |
| 3.2.4 LTCC技术难题 | 第26页 |
| 3.3 带两个传输零点的六阶SIR带通滤波器设计 | 第26-32页 |
| 3.3.1 电路分析 | 第26-27页 |
| 3.3.2 结构分析与建模 | 第27-29页 |
| 3.3.3 仿真结果与容差分析 | 第29-30页 |
| 3.3.4 器件加工与测试 | 第30-32页 |
| 3.4 小结 | 第32-34页 |
| 第四章 3D堆叠技术与TSV技术及其特性分析 | 第34-42页 |
| 4.1 TSV制作技术 | 第34-36页 |
| 4.1.1 刻蚀通孔 | 第34-35页 |
| 4.1.2 积淀绝缘层 | 第35页 |
| 4.1.3 积淀阻挡层 | 第35-36页 |
| 4.1.4 铜填充 | 第36页 |
| 4.2 3D堆叠技术 | 第36-39页 |
| 4.2.1 剪薄 | 第37页 |
| 4.2.2 对准 | 第37-38页 |
| 4.2.3 键合 | 第38-39页 |
| 4.3 圆柱型TSV的寄生参数提取 | 第39-41页 |
| 4.3.1 圆柱型TSV的寄生电阻 | 第39-40页 |
| 4.3.2 圆柱型TSV的寄生电容 | 第40-41页 |
| 4.3.3 圆柱型TSV的寄生电感 | 第41页 |
| 4.4 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 TSV工艺的THz基片集成波导带通滤波器设计 | 第42-68页 |
| 5.1 SIW结构与传输特性分析 | 第42-46页 |
| 5.1.1 矩形波导 | 第42-43页 |
| 5.1.2 SIW与矩形波导之间的等效关系 | 第43-44页 |
| 5.1.3 微带线与SIW结构的转换 | 第44-45页 |
| 5.1.4 传输特性 | 第45-46页 |
| 5.1.5 传输模式分析 | 第46页 |
| 5.2 SIW谐振腔与相互之间的耦合 | 第46-53页 |
| 5.2.1 SIW谐振腔 | 第46-48页 |
| 5.2.2 谐振腔之间的耦合 | 第48-50页 |
| 5.2.3 SIW谐振腔耦合的实现形式 | 第50-53页 |
| 5.3 TSV工艺的THz基片集成波导带通滤波器设计 | 第53-66页 |
| 5.3.1 平面磁耦合SIW滤波器设计 | 第54-59页 |
| 5.3.2 纵向堆叠磁耦合型SIW滤波器设计 | 第59-61页 |
| 5.3.3 双层交叉耦合SIW滤波器设计 | 第61-66页 |
| 5.4 小结 | 第66-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 总结 | 第68页 |
| 6.2 不足与展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 附录A 攻读硕士期间的研究成果 | 第76页 |