摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-23页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 半导体纳米材料概述 | 第10-11页 |
1.3 TiO_2纳米管阵列 | 第11-16页 |
1.3.1 TiO_2纳米管阵列的制备方法概述 | 第12-13页 |
1.3.2 TiO_2纳米管阵列的制备生长过程 | 第13-14页 |
1.3.3 TiO_2纳米管阵列的修饰 | 第14-16页 |
1.4 MoS_2半导体材料 | 第16-19页 |
1.4.1 MoS_2的性质 | 第16-17页 |
1.4.2 MoS_2的制备方法 | 第17-19页 |
1.4.3 MoS_2的应用 | 第19页 |
1.5 半导体纳米材料在光电催化方面的特性和应用 | 第19-21页 |
1.5.1 光电分解水制氢 | 第20-21页 |
1.5.2 光电催化降解污染物 | 第21页 |
1.6 课题研究主要内容 | 第21-23页 |
第二章 片层MoS_2/TiO_2NTs的制备及光电催化性能研究 | 第23-42页 |
2.1 引言 | 第23-24页 |
2.2 实验部分 | 第24-30页 |
2.2.1 实验试剂 | 第24-25页 |
2.2.2 实验仪器 | 第25页 |
2.2.3 片层MoS_2/TiO_2纳米管阵列材料的制备 | 第25-26页 |
2.2.4 MoS_2/TiO_2纳米管阵列材料的表征及光电性能检测 | 第26-28页 |
2.2.5 MoS_2/TiO_2 NTs光还原和光电还原Cr(VI)性能研究 | 第28-30页 |
2.3 结果与讨论 | 第30-40页 |
2.3.1 MoS_2/TiO_2 NTs扫描电镜 | 第31-33页 |
2.3.2 透射电镜(TEM)和高分辨率透射电镜(HRTEM) | 第33-34页 |
2.3.3 样品的荧光光谱数据分析 | 第34页 |
2.3.4 样品的光电流响应 | 第34-35页 |
2.3.5 交流阻抗测试 | 第35-36页 |
2.3.6 光电催化性能表征 | 第36-40页 |
2.4 光电催化还原Cr(VI)机理研究 | 第40页 |
2.5 小结 | 第40-42页 |
第三章 有机酸对TiO_2NWs表面催化还原Cr(VI)影响理论研究 | 第42-57页 |
3.1 引言 | 第42-43页 |
3.2 实验部分 | 第43-46页 |
3.2.1 实验试剂 | 第43-44页 |
3.2.2 实验仪器 | 第44页 |
3.2.3 TiO_2纳米线材料的制备 | 第44-45页 |
3.2.4 TiO_2纳米线材料的表征 | 第45页 |
3.2.5 光催化还原Cr(VI)及其分析 | 第45页 |
3.2.6 计算方法 | 第45-46页 |
3.3 结果与讨论 | 第46-56页 |
3.3.1 TiO_2 NWs形貌和结构表征 | 第46-47页 |
3.3.2 XRD表征分析 | 第47页 |
3.3.3 TiO_2 NWs对Cr(VI)吸附还原作用 | 第47-52页 |
3.3.4 Cr(VI)还原机理研究 | 第52-53页 |
3.3.5 可见光照射下Cr(VI)还原动力学机理研究 | 第53-55页 |
3.3.6 TiO_2(101)-TA和TiO_2(101)表面DOS研究 | 第55-56页 |
3.4 小结 | 第56-57页 |
第四章 花状In_2S_3/TiO_2NTs复合纳米材料的制备及 4-NP降解研究 | 第57-68页 |
4.1 引言 | 第57-58页 |
4.2 实验部分 | 第58-60页 |
4.2.1 实验试剂 | 第58页 |
4.2.2 实验仪器 | 第58-59页 |
4.2.3 In_2S_3/TiO_2复合材料的制备 | 第59页 |
4.2.4 催化剂的表征及光电性能检测 | 第59页 |
4.2.5 In_2S_3/TiO_2复合材料催化降解 4-NP | 第59-60页 |
4.3 结果与讨论 | 第60-67页 |
4.3.1 花状In_2S_3/TiO_2NTs的形貌、结构表征 | 第60-62页 |
4.3.2 光电流测试 | 第62-63页 |
4.3.3 荧光光谱测试 | 第63页 |
4.3.4 交流阻抗测试 | 第63-64页 |
4.3.5 光催化降解 4-NP | 第64-65页 |
4.3.6 催化剂的稳定性 | 第65-66页 |
4.3.7 In_2S_3/TiO_2 NTs复合材料光催化机理研究 | 第66-67页 |
4.4 小结 | 第67-68页 |
第五章 总结 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-80页 |
硕士期间发表的论文 | 第80-81页 |
致谢 | 第81-82页 |