摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-21页 |
1.1 有机电致发光的研究背景和意义 | 第10页 |
1.2 有机电致发光的发展历程 | 第10-13页 |
1.3 PLED的基本结构 | 第13-14页 |
1.4 PLED器件的基本原理 | 第14-16页 |
1.5 PLED器件的性能参数 | 第16-17页 |
1.6 提高PLED器件性能的方法 | 第17-19页 |
1.6.1 载流子注入平衡 | 第17-18页 |
1.6.2 载流子的传输 | 第18页 |
1.6.3 单线态激子和三线态激子 | 第18-19页 |
1.6.4 物理上的光损耗 | 第19页 |
1.7 本论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
第二章 PLED器件的制备方法、工艺流程及性能表征 | 第21-26页 |
2.1 本文所用材料及设备 | 第21-22页 |
2.2 工艺流程 | 第22-24页 |
2.2.1 ITO基片的清洗 | 第22页 |
2.2.2 溶液的配制 | 第22-23页 |
2.2.3 薄膜的制备 | 第23页 |
2.2.4 金属电极的制备 | 第23-24页 |
2.3 性能表征 | 第24-25页 |
2.4 本章小结 | 第25-26页 |
第三章 极性溶剂修饰发光层表面提高PLEDs性能的机理研究 | 第26-42页 |
3.1 引言 | 第26-28页 |
3.2 实验 | 第28-30页 |
3.2.1 器件的制备 | 第29-30页 |
3.2.2 性能表征 | 第30页 |
3.3 结果与讨论 | 第30-41页 |
3.3.1 PLEDs器件的光电特性 | 第30-34页 |
3.3.2 界面偶极层的形成 | 第34-36页 |
3.3.3 偶极层形成机制的研究 | 第36-39页 |
3.3.4 热处理对器件性能的影响 | 第39-41页 |
3.4 本章小结 | 第41-42页 |
第四章 基于p-Si阳极的高性能PLED研究 | 第42-49页 |
4.1 引言 | 第42-43页 |
4.2 实验部分 | 第43-44页 |
4.2.1 器件制备 | 第43-44页 |
4.3 结果与讨论 | 第44-47页 |
4.3.1 p-Si-PLED器件的光电性能 | 第44-46页 |
4.3.2 阳极界面的电子能级结构分析 | 第46-47页 |
4.4 本章小结 | 第47-49页 |
第五章 总结与展望 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-56页 |
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第56-57页 |
附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第57-58页 |
致谢 | 第58页 |