| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 半导体发光二极管的发展简史 | 第9-11页 |
| 1.3 半导体发光二极管的应用与发展前景 | 第11-14页 |
| 1.3.1 半导体发光二极管的优点 | 第11页 |
| 1.3.2 半导体发光二极管在各个领域的应用 | 第11-13页 |
| 1.3.3 GaN基功率LED的前景展望和挑战 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第2章 LED的相关理论及制备工艺 | 第15-25页 |
| 2.1 LED的相关理论 | 第15-18页 |
| 2.1.1 发光二极管工作原理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 LED的光电参数介绍 | 第16-18页 |
| 2.2 LED的基本制备工艺 | 第18-21页 |
| 2.2.1 光刻 | 第18-19页 |
| 2.2.2 溅射 | 第19-20页 |
| 2.2.3 ICP(inductively coupled plasma)刻蚀技术 | 第20-21页 |
| 2.2.4 其他工艺 | 第21页 |
| 2.3 GaN基LED的制备流程 | 第21-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-25页 |
| 第3章 GaN基高压LED关键工艺、制备及特性 | 第25-35页 |
| 3.1 深隔离槽工艺研究 | 第25-29页 |
| 3.1.1 不同掩膜对ICP刻蚀的影响 | 第25-27页 |
| 3.1.2 ITO对ICP刻蚀的影响 | 第27-28页 |
| 3.1.3 ICP刻蚀深隔离槽对高压LED的影响 | 第28-29页 |
| 3.2 绝缘钝化层研究 | 第29-30页 |
| 3.3 不同电极材料对高压LED影响的研究 | 第30-31页 |
| 3.4 GaN基高压蓝光LED特性分析 | 第31-34页 |
| 3.4.1 高压蓝光LED的制备 | 第31-32页 |
| 3.4.2 高压蓝光LED测试与分析 | 第32-33页 |
| 3.4.3 高压蓝光LED变温特性分析 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 静电对高压LED性能的影响 | 第35-43页 |
| 4.1 试验样品制备介绍 | 第35-36页 |
| 4.2 静电对LED光电参数影响的研究 | 第36-41页 |
| 4.2.1 实验 | 第36-37页 |
| 4.2.2 静电打击下电学性能测试与分析 | 第37-39页 |
| 4.2.3 静电打击下光学性能测试与分析 | 第39-40页 |
| 4.2.4 静电打击前后高压LED芯片的表面形貌 | 第40-41页 |
| 4.3 高压LED的静电保护方法 | 第41-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 电流和温度对GaN基功率LED性能的影响 | 第43-51页 |
| 5.1 电流对不同色温功率白光LED光学特性的影响 | 第43-46页 |
| 5.1.1 色温的基本概念及分类 | 第43-44页 |
| 5.1.2 不同色温LED的变电流测试分析 | 第44-46页 |
| 5.2 低温对GaN基LED性能的影响 | 第46-49页 |
| 5.2.1 实验 | 第46页 |
| 5.2.2 结果分析 | 第46-49页 |
| 5.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |