| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-37页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·半导体金属氧化物-ZnO | 第13-17页 |
| ·ZnO的晶格结构 | 第13-14页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第14-16页 |
| ·ZnO的固有缺陷 | 第16-17页 |
| ·ZnO纳米材料的气敏特性 | 第17-27页 |
| ·纳米材料简介 | 第17页 |
| ·半导体气体传感器的分类 | 第17-19页 |
| ·金属氧化物气体传感器的结构及性能指标 | 第19-20页 |
| ·金属氧化物气敏传感器的工作原理 | 第20-24页 |
| ·ZnO纳米传感器的研究现状 | 第24-26页 |
| ·ZnO异质结气敏性的研究现状 | 第26-27页 |
| ·半导体光催化氧化 | 第27-35页 |
| ·半导体光催化原理 | 第28-30页 |
| ·ZnO光腐蚀 | 第30-31页 |
| ·提高ZnO光催化反应效率途径 | 第31-33页 |
| ·ZnO光催化降解有机物的研究现状 | 第33-35页 |
| ·课题的研究背景和意义 | 第35-36页 |
| ·论文的研究内容 | 第36-37页 |
| 第二章 ZnO薄膜/Si异质结的制备和表征方法 | 第37-48页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第37-42页 |
| ·磁控溅射 | 第37-39页 |
| ·样品的制备过程 | 第39-42页 |
| ·本实验所用的表征方法 | 第42-48页 |
| ·X射线衍射谱（XRD） | 第42-43页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）及能谱 | 第43-45页 |
| ·霍尔效应测试（Hall Effect Measurment） | 第45-46页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第46-47页 |
| ·紫外/可见光吸收光谱（UV-Vis） | 第47-48页 |
| 第三章 ZnO薄膜/Si异质结的电学性质和气敏性能研究 | 第48-80页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·ZnO薄膜/Si异质结的电输运特性 | 第48-54页 |
| ·样品电学性能测量的测量方法 | 第49页 |
| ·不同溅射气压下ZnO薄膜/Si异质结 | 第49-53页 |
| ·不同溅射功率下，ZnO薄膜/Si异质结 | 第53-54页 |
| ·本底真空度和送氩量 | 第54页 |
| ·ZnO薄膜厚度对ZnO/Si异质结酒精敏感特性的影响 | 第54-65页 |
| ·ZnO薄膜/Si异质结的表征 | 第54-57页 |
| ·气体敏感性的测量方法 | 第57-58页 |
| ·ZnO薄膜/Si异质结酒精敏感特性 | 第58-64页 |
| ·ZnO薄膜/p-Si异质结酒精敏感特性机理解释 | 第64-65页 |
| ·Si衬底对ZnO/p-Si异质结酒精敏感特性的影响 | 第65-70页 |
| ·Si衬底对ZnO/p-Si异质结I-V特性的影响 | 第65-66页 |
| ·不同电阻率Si上的ZnO/p-Si异质结酒精敏感特性 | 第66-68页 |
| ·气敏机理解释 | 第68-70页 |
| ·Si衬底对ZnO/n-Si异质结酒精敏感特性的影响 | 第70-74页 |
| ·Si衬底对ZnO/n-Si异质结I-V特性的影响 | 第70-71页 |
| ·不同电阻率Si衬底的ZnO/p-Si异质结酒精敏感特性 | 第71-73页 |
| ·气敏机理解释 | 第73-74页 |
| ·ZnO薄膜/Si异质结气敏机理的理论解释 | 第74-75页 |
| ·ZnO薄膜/p-Si异质结对醇类气体的敏感性 | 第75-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第四章 纳米ZnO气体元件的组装及酒精敏感特性 | 第80-105页 |
| ·引言 | 第80-83页 |
| ·ZnO纳米粉体的制备及表征 | 第83-90页 |
| ·试剂与仪器 | 第83-84页 |
| ·实验过程 | 第84-85页 |
| ·纳米ZnO的结构表征 | 第85-90页 |
| ·纳米ZnO的可控生长机理 | 第90-91页 |
| ·样品电学性能的测量方法 | 第91-92页 |
| ·ZnO纳米棒的酒精敏感性 | 第92-99页 |
| ·阻抗谱及其等效电路 | 第99-103页 |
| ·ZnO纳米棒气敏元件的机理解释 | 第103-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 第五章 纳米ZnO的光催化特性 | 第105-120页 |
| ·引言 | 第105页 |
| ·纳米ZnO的制备及光催化性能 | 第105-106页 |
| ·试剂与仪器 | 第105页 |
| ·光催化实验 | 第105-106页 |
| ·ZnO纳米棒的光催化性能 | 第106-109页 |
| ·ZnO纳米棒的制备 | 第106页 |
| ·ZnO的生成机制 | 第106-107页 |
| ·ZnO纳米棒的表征 | 第107-108页 |
| ·ZnO纳米棒的光催化性能 | 第108-109页 |
| ·Ag/ZnO纳米棒的光催化性能 | 第109-113页 |
| ·Ag/ZnO纳米棒的制备 | 第109-110页 |
| ·Ag/ZnO纳米棒的表征 | 第110-113页 |
| ·Ag/ZnO纳米棒的光催化性能 | 第113页 |
| ·负载型ZnO纳米晶的光催化性能 | 第113-119页 |
| ·负载型ZnO纳米晶的制备 | 第113-114页 |
| ·负载型ZnO纳米晶的表征 | 第114-116页 |
| ·负载型ZnO纳米晶的透射光谱 | 第116-117页 |
| ·负载型ZnO纳米晶的光催化性能 | 第117-119页 |
| ·本章小结 | 第119-120页 |
| 结论 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-133页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第133-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 作者简介 | 第135页 |
