| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-35页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨烯的性质与制备方法 | 第11-15页 |
| 1.2.1 石墨烯的性质 | 第11-14页 |
| 1.2.2 石墨烯的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.3 化学气相沉积法制备石墨烯 | 第15-21页 |
| 1.3.1 化学气相沉积法制备石墨烯 | 第15-16页 |
| 1.3.2 石墨烯生长机理 | 第16-17页 |
| 1.3.3 化学气相沉积生长石墨烯的研究进展 | 第17-21页 |
| 1.4 双层石墨烯 | 第21-23页 |
| 1.4.1 双层石墨烯的研究价值 | 第21-22页 |
| 1.4.2 双层石墨烯的制备 | 第22-23页 |
| 1.5 半导体团簇/石墨烯复合体系 | 第23-25页 |
| 1.6 本论文的工作 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-35页 |
| 第二章 以聚苯乙烯作为碳源的岛状多层石墨烯的制备与表征 | 第35-51页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 石墨烯的制备过程 | 第36-39页 |
| 2.2.1 制备的装置和流程 | 第36页 |
| 2.2.2 前期预处理 | 第36-38页 |
| 2.2.3 沉积过程 | 第38页 |
| 2.2.4 石墨烯的转移 | 第38-39页 |
| 2.3 石墨烯的表征 | 第39-44页 |
| 2.3.1 光学显微镜表征 | 第39-40页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜表征 | 第40-41页 |
| 2.3.3 拉曼光谱分析 | 第41-43页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜表征 | 第43-44页 |
| 2.4 石墨烯的生长过程 | 第44-48页 |
| 2.4.1 影响石墨烯制备的参数 | 第44-46页 |
| 2.4.2 石墨烯生长过程 | 第46-48页 |
| 2.5 小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 AB堆垛大面积均匀双层石墨烯的制备与性质 | 第51-66页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 大面积均匀双层石墨烯的制备 | 第52-53页 |
| 3.2.1 双层石墨烯制备的实验条件 | 第52页 |
| 3.2.2 生长均匀双层石墨烯 | 第52-53页 |
| 3.3 双层石墨烯的判定 | 第53-58页 |
| 3.3.1 光学显微镜图像 | 第53-54页 |
| 3.3.2 拉曼光谱表征 | 第54页 |
| 3.3.3 透射电子显微镜表征 | 第54-56页 |
| 3.3.4 原子力显微镜表征 | 第56页 |
| 3.3.5 透光光谱表征 | 第56-57页 |
| 3.3.6 拉曼谱图统计 | 第57-58页 |
| 3.4 石墨烯电学性质 | 第58-59页 |
| 3.5 生长机理分析 | 第59-62页 |
| 3.5.1 双层均匀石墨烯的生长过程 | 第59-61页 |
| 3.5.2 石墨烯生长双层的原因 | 第61页 |
| 3.5.3 聚苯乙烯分解速率对双层石墨烯均匀性的影响 | 第61-62页 |
| 3.6 小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第四章 半导体团簇/石墨烯复合体系的制备与光电响应 | 第66-81页 |
| 4.1 引言 | 第66页 |
| 4.2 利用团簇束流沉积技术制备CdS半导体团簇 | 第66-73页 |
| 4.2.1 超高真空团簇束流沉积系统 | 第66-68页 |
| 4.2.2 CdS团簇束流产生与条件参数的关系 | 第68-73页 |
| 4.3 CdS纳米团簇的表征 | 第73-75页 |
| 4.3.1 透射电镜形貌与结构分析 | 第73-74页 |
| 4.3.2 光吸收谱测量 | 第74-75页 |
| 4.4 CdS团簇/石墨烯复合纳米结构的制备与光电响应 | 第75-78页 |
| 4.4.1 复合体系的制备 | 第75页 |
| 4.4.2 复合体系的表征 | 第75-78页 |
| 4.5 本章小节 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第五章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 5.1 总结 | 第81-82页 |
| 5.2 本论文的不足之处及下一步工作设想 | 第82-83页 |
| 硕士期间完成的论文 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
