| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第14-20页 |
| 1.1 江门中微子实验 | 第14-15页 |
| 1.2 光电倍增管 | 第15-17页 |
| 1.2.1 基于打拿极的光电倍增管 | 第15-16页 |
| 1.2.2 近贴聚焦型微通道板型光电倍增管 | 第16-17页 |
| 1.2.3 高能物理中光电倍增管的性能要求 | 第17页 |
| 1.3 新型大面积高量子效率微通道板型光电倍增管的研制 | 第17-20页 |
| 第二章 光电倍增管性能研究 | 第20-30页 |
| 2.1 光电倍管性能测试系统 | 第20-21页 |
| 2.2 光电倍增管光阴极性能研究 | 第21-25页 |
| 2.2.1 光阴极量子效率 | 第21-22页 |
| 2.2.2 光阴极面均匀性的扫描 | 第22-23页 |
| 2.2.3 光阴极的光谱响应特性 | 第23-24页 |
| 2.2.4 光电倍增管暗电流与暗计数 | 第24-25页 |
| 2.3 光电倍增管单光电子性能研究 | 第25-27页 |
| 2.3.1 光电倍增管波形 | 第25页 |
| 2.3.2 光电倍增管高压增益曲线 | 第25-26页 |
| 2.3.3 光电倍增管渡越时间涨落 | 第26-27页 |
| 2.4 光电倍增管整管性能研究 | 第27-30页 |
| 2.4.1 光电倍增管的阳极输出线性 | 第27页 |
| 2.4.2 光电倍增管后脉冲 | 第27-29页 |
| 2.4.3 地磁场对大面积光电倍增管的影响 | 第29页 |
| 2.4.4 大面积微通道板型光电倍增管的老化 | 第29-30页 |
| 第三章 地磁场对大面积光电倍增管的影响 | 第30-53页 |
| 3.1 理论分析 | 第30-33页 |
| 3.1.1 地磁场对打拿极光电倍增管的影响 | 第30-31页 |
| 3.1.2 地磁场对微通道板型光电倍增管的影响 | 第31页 |
| 3.1.3 地磁场对探测器均一性影响 | 第31-32页 |
| 3.1.4 地磁场对光电倍增管影响的研究 | 第32-33页 |
| 3.2 实验设计 | 第33-37页 |
| 3.2.1 光电倍增管选择 | 第33-34页 |
| 3.2.2 电子学取数系统 | 第34-35页 |
| 3.2.3 光源的选择 | 第35页 |
| 3.2.4 旋转系统 | 第35-37页 |
| 3.3 实验数据分析 | 第37-53页 |
| 3.3.1 地磁场对光电倍增管性能的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 光电倍增管结构受地磁场的影响 | 第38-41页 |
| 3.3.3 光电倍增管安装位置受地磁场的影响 | 第41-53页 |
| 第四章 微通道板型光电倍增管老化实验 | 第53-65页 |
| 4.1 实验机制分析 | 第53-55页 |
| 4.1.1 一般老化分析 | 第53-54页 |
| 4.1.2 光电倍增管老化理论分析 | 第54-55页 |
| 4.2 大面积微通道板型光电倍增管老化的实验设计 | 第55-60页 |
| 4.2.1 测试系统搭建 | 第55-58页 |
| 4.2.2 取数开始 | 第58-59页 |
| 4.2.3 日常取数 | 第59-60页 |
| 4.3 数据分析 | 第60-63页 |
| 4.3.1 光阴极老化行为 | 第60-61页 |
| 4.3.2 微通道板老化行为 | 第61-63页 |
| 4.4 大面积微通道板型光电倍增管老化 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-68页 |
| 5.1 论文总结 | 第65-66页 |
| 5.1.1 地磁场对光电倍增管的影响总结 | 第65-66页 |
| 5.1.2 光电倍增管老化总结 | 第66页 |
| 5.2 展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 科研成果 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |