| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 硅半导体探测器 | 第9-19页 |
| 1.2.1 硅半导体探测器的探测介质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 硅半导体探测器的原理 | 第10页 |
| 1.2.3 硅半导体探测器的发展历史 | 第10-11页 |
| 1.2.4 硅半导体探测器的优点 | 第11-12页 |
| 1.2.5 硅半导体探测器的应用 | 第12-15页 |
| 1.2.6 几种主要的硅半导体探测器介绍 | 第15-19页 |
| 1.3 对硅探测器模拟研究的必要性和意义 | 第19页 |
| 1.4 研究内容及选题依据 | 第19-21页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第19-20页 |
| 1.4.2 选题依据 | 第20-21页 |
| 第2章 开合式三维沟槽电极硅探测器结构设计理念 | 第21-30页 |
| 2.1 开合式三维沟槽电极硅探测器结构设计理念 | 第21-29页 |
| 2.1.1 开合式三维沟槽电极硅探测器工作原理 | 第21-22页 |
| 2.1.2 开合式三维沟槽电极硅探测器圆柱结构的选择 | 第22-24页 |
| 2.1.3 两电极间距的选择 | 第24页 |
| 2.1.4 I层硅体材料的选择 | 第24-25页 |
| 2.1.5 PN结位置的选择 | 第25-28页 |
| 2.1.6 开口大小的选择 | 第28-29页 |
| 2.2 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 开合式三维沟槽电极硅探测器器件模型的建立 | 第30-38页 |
| 3.1 仿真物理模型建立 | 第30-35页 |
| 3.1.1 器件模拟基本方程 | 第30-33页 |
| 3.1.2 基本物理模型 | 第33-35页 |
| 3.2 软件介绍 | 第35页 |
| 3.3 仿真参数设置 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 开合式三维沟槽电极硅探测器的电学特性理论研究 | 第38-62页 |
| 4.1 开合式三维沟槽电极硅探测器的电势和电场分布 | 第38-41页 |
| 4.1.1 开合式三维沟槽电极硅探测器的电势分布 | 第38-39页 |
| 4.1.2 开合式三维沟槽电极硅探测器的电场分布 | 第39-40页 |
| 4.1.3 与三维沟槽电极硅探测器的电势和电场分布对比分析 | 第40-41页 |
| 4.2 开合式三维沟槽电极硅探测器的漏电流 | 第41-45页 |
| 4.2.1 开合式三维沟槽电极硅探测器漏电流的仿真与结果分析 | 第42-44页 |
| 4.2.2 与三维沟槽电极硅探测器的漏电流对比分析 | 第44-45页 |
| 4.3 开合式三维沟槽电极硅探测器的击穿电压 | 第45-48页 |
| 4.3.1 开合式三维沟槽电极硅探测器的雪崩击穿电压 | 第45-46页 |
| 4.3.2 开合式三维沟槽电极硅探测器的表面击穿电压 | 第46-47页 |
| 4.3.3 与三维沟槽电极硅探测器的击穿电压对比分析 | 第47-48页 |
| 4.4 开合式三维沟槽电极硅探测器的电容 | 第48-50页 |
| 4.4.1 开合式三维沟槽电极硅探测器的电容仿真与结果分析 | 第48-49页 |
| 4.4.2 饱和电容与开口弧长(S)的关系 | 第49页 |
| 4.4.3 与三维沟槽电极硅探测器的电容对比分析 | 第49-50页 |
| 4.5 开合式三维沟槽电极硅探测器的耗尽电压 | 第50-53页 |
| 4.5.1 I-V特性曲线获得的耗尽电压 | 第50-51页 |
| 4.5.2 C-V特性曲线获得的耗尽电压 | 第51页 |
| 4.5.3 截面电势分布曲线得到的耗尽电压 | 第51-53页 |
| 4.5.4 与三维沟槽电极硅探测器的耗尽电压对比分析 | 第53页 |
| 4.6 开合式三维沟槽电极硅探测器的电荷收集 | 第53-60页 |
| 4.6.1 Shockley-Ramo理论及比重场 | 第54-56页 |
| 4.6.2 电荷收集模型建立 | 第56-58页 |
| 4.6.3 电荷收集性能的仿真和结果分析 | 第58-60页 |
| 4.7 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 论文总结 | 第62-63页 |
| 5.2 工作展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 个人简历、攻读学位期间发表的学术论文 | 第69页 |
