| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 引言 | 第9-20页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第9-11页 |
| 1.1.1 石墨烯的应用 | 第9-11页 |
| 1.1.2 石墨烯的结构 | 第11页 |
| 1.2 石墨烯的制备 | 第11-12页 |
| 1.3 SiC（0001）衬底上外延生长石墨烯 | 第12-14页 |
| 1.4 SiC（0001）表面石墨烯的脱附 | 第14-16页 |
| 1.5 石墨烯掺杂 | 第16-18页 |
| 1.6 本文主要的研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 研究方法简介 | 第20-24页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第20-22页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第20页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第20-21页 |
| 2.1.3 Khon-Sham方程 | 第21页 |
| 2.1.4 局域密度泛函近似（LDA） | 第21-22页 |
| 2.2 第一性原理方法 | 第22页 |
| 2.3 过渡态理论 | 第22-24页 |
| 2.3.1 微动弹性带方法（NEB） | 第23页 |
| 2.3.2 攀升图像微动弹性带方法（CI-NEB） | 第23-24页 |
| 第3章 气体分子在碳化硅表面的分解和扩散行为 | 第24-33页 |
| 3.1 引言 | 第24-25页 |
| 3.2 计算模型与方法 | 第25页 |
| 3.3 结果与分析 | 第25-31页 |
| 3.3.1 SiC（0001）表面O_2和H_2O的分解及扩散行为 | 第25-27页 |
| 3.3.2 SiC（0001）表面H_2的分解及扩散行为 | 第27-28页 |
| 3.3.3 SiC（0001）表面NH_3和N_2的裂解及扩散行为 | 第28-31页 |
| 3.4 本章结论 | 第31-33页 |
| 第4章 边缘氢钝化对石墨烯脱附的影响 | 第33-40页 |
| 4.1 引言 | 第33-34页 |
| 4.2 计算模型与方法 | 第34-35页 |
| 4.3 结果与分析 | 第35-39页 |
| 4.3.1 石墨烯边缘的氢原子钝化 | 第35-36页 |
| 4.3.2 石墨烯边缘氢原子渗入的过程与机制 | 第36-37页 |
| 4.3.3 氢钝化石墨烯边缘和碳化硅衬底表面对石墨烯脱附的影响 | 第37-39页 |
| 4.4 本章结论 | 第39-40页 |
| 第5章 H_2O和O_2对碳化硅表面石墨烯脱附过程的影响 | 第40-47页 |
| 5.1 引言 | 第40-41页 |
| 5.2 计算模型与方法 | 第41-42页 |
| 5.3 结果与分析 | 第42-46页 |
| 5.3.1 石墨烯/碳化硅界面氧原子的渗入行为 | 第42-43页 |
| 5.3.2 石墨烯/碳化硅界面氧原子渗入的机制：H_2O和O_2的影响 | 第43-44页 |
| 5.3.3 石墨烯/碳化硅界面氧原子的扩散行为 | 第44-46页 |
| 5.4 本章结论 | 第46-47页 |
| 第6章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 6.1 总结 | 第47-48页 |
| 6.2 展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 个人简历、在学期间完成的论文和科研情况 | 第55页 |
