| 中文摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1.绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 磁控溅射概述 | 第10-11页 |
| 1.1.1 磁控溅射的工作原理 | 第10-11页 |
| 1.1.2 磁控溅射的应用 | 第11页 |
| 1.2 等离子体与气体放电 | 第11-16页 |
| 1.2.1 等离子体概念与性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 气体放电原理与特性 | 第12-14页 |
| 1.2.3 等离子体的产生 | 第14-15页 |
| 1.2.4 等离子体与材料表面改性 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的研究意义 | 第16页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第16-18页 |
| 2.磁控溅射中Ar/O_2放电等离子体行为 | 第18-26页 |
| 2.1 实验原理与目的 | 第18-19页 |
| 2.2 实验方案 | 第19-20页 |
| 2.3 结果与分析 | 第20-25页 |
| 2.3.1 混合比对等离子体行为的影响 | 第20-22页 |
| 2.3.2 溅射功率对等离子体行为的影响 | 第22-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3.直流磁控溅射中Ar/O_2混合气体放电模拟 | 第26-45页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 研究对象和物理模型 | 第26-29页 |
| 3.3 数值模拟 | 第29-32页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第32-44页 |
| 3.4.1 主要粒子密度剖面图和电子温度的空间分布 | 第32-36页 |
| 3.4.2 混合比对Ar/O_2放电的影响 | 第36-40页 |
| 3.4.3 压强对Ar/O_2放电的影响 | 第40-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 4.直流磁控溅射Ar/O_2/Cl_2混合气体放电模拟 | 第45-56页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 研究对象和物理模型 | 第45-46页 |
| 4.3 数值模拟 | 第46-49页 |
| 4.4 结果和分析 | 第49-55页 |
| 4.4.1 反应腔半径对Ar/O_2/Cl_2放电的影响 | 第49-52页 |
| 4.4.2 混合比对Ar/O_2/Cl_2放电的影响 | 第52-53页 |
| 4.4.3 压强对Ar/O_2/Cl_2放电的影响 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 5.结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 作者简介 | 第62-63页 |
