单芯片双门极双向IGBT的分析与优化
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 绝缘栅双极晶体管研究现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 绝缘栅双极晶体管的发明 | 第11-12页 |
| 1.2.2 大功率绝缘栅双极晶体管 | 第12-13页 |
| 1.2.3 高速绝缘栅双极晶体管 | 第13-14页 |
| 1.2.4 新型绝缘栅双极晶体管 | 第14-16页 |
| 1.3 全控型双向开关的应用领域 | 第16-18页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 单芯片双门极双向IGBT的设计与分析 | 第19-30页 |
| 2.1 双向IGBT的基本器件结构 | 第19页 |
| 2.2 双向IGBT的阻断特性 | 第19-22页 |
| 2.3 双向IGBT的阈值电压 | 第22-23页 |
| 2.4 双向IGBT的输出特性 | 第23-26页 |
| 2.4.1 双向IGBT的工作原理 | 第23-24页 |
| 2.4.2 双向IGBT的工作模式 | 第24-26页 |
| 2.5 双向IGBT的关断特性 | 第26-27页 |
| 2.6 双向IGBT的反向恢复特性 | 第27-29页 |
| 2.7 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 单芯片双门极双向IGBT的优化 | 第30-38页 |
| 3.1 漂移区载流子寿命 | 第30-31页 |
| 3.2 P阱区的掺杂浓度 | 第31-33页 |
| 3.3 栅极结构对器件的影响 | 第33-35页 |
| 3.4 双向IGBT的核心制造工艺 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 双向IGBT在矩阵变换器中的应用分析 | 第38-60页 |
| 4.1 矩阵变换器的拓扑结构 | 第38-39页 |
| 4.2 矩阵变换器的双向开关 | 第39-40页 |
| 4.3 矩阵变换器的调制方法 | 第40-46页 |
| 4.3.1 直接传递函数法 | 第40-41页 |
| 4.3.2 间接空间矢量调制方法 | 第41-46页 |
| 4.4 矩阵变换器的换流方法 | 第46-52页 |
| 4.4.1 电压型四步换流的基本原理 | 第46-49页 |
| 4.4.2 双向IGBT的电压型四步换流策略 | 第49-51页 |
| 4.4.3 新型变步长四步换流策略 | 第51-52页 |
| 4.5 矩阵变换器功耗分析 | 第52-59页 |
| 4.5.1 矩阵变换器的导通损耗 | 第52-55页 |
| 4.5.2 矩阵变换器的开关功耗 | 第55-58页 |
| 4.5.3 矩阵变换器的总功耗 | 第58-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录A 攻读学位期间取得的研究成果 | 第67页 |
