摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 石墨的结构 | 第11-12页 |
1.3 石墨材料的应用 | 第12页 |
1.4 石墨材料的氧化 | 第12-13页 |
1.5 提高石墨材料抗氧化性能的方法 | 第13-14页 |
1.5.1 基体改性法 | 第13页 |
1.5.2 涂层技术 | 第13-14页 |
1.6 抗氧化涂层的种类 | 第14-15页 |
1.6.1 单一抗氧化涂层体系 | 第14页 |
1.6.2 双层抗氧化涂层体系 | 第14-15页 |
1.6.3 多层抗氧化涂层体系 | 第15页 |
1.7 石墨材料抗氧化涂层的制备方法 | 第15-17页 |
1.7.1 包埋法 | 第15-16页 |
1.7.2 料浆法 | 第16页 |
1.7.3 溶胶凝胶法 | 第16页 |
1.7.4 化学气相沉积法 | 第16-17页 |
1.8 本文研究的目的与意义 | 第17页 |
1.9 主要研究内容 | 第17-19页 |
第二章 实验部分 | 第19-26页 |
2.1 实验原料 | 第19页 |
2.2 实验设备 | 第19-20页 |
2.3 实验方法 | 第20页 |
2.3.1 基体预处理 | 第20页 |
2.4 SiC涂层的制备 | 第20-22页 |
2.4.1 化学气相沉积法制备SiC涂层 | 第21页 |
2.4.2 化学气相沉积法制备SiC涂层的工艺及参数 | 第21页 |
2.4.3 料浆法制备SiC涂层 | 第21-22页 |
2.5 SiC/Si_3N_4复合涂层的制备 | 第22页 |
2.6 涂层的性能测试与表征 | 第22-23页 |
2.6.1 物相分析 | 第22页 |
2.6.2 显微结构分析 | 第22页 |
2.6.3 洛氏硬度测试 | 第22-23页 |
2.6.4 孔隙率及密度的测试 | 第23页 |
2.7 抗氧化能力测试 | 第23-24页 |
2.8 SiC涂层的制备原理 | 第24-26页 |
第三章 结果与讨论 | 第26-61页 |
3.1 化学气相沉积法制备SiC涂层 | 第26-39页 |
3.1.1 沉积温度对SiC涂层致密化的影响 | 第26-28页 |
3.1.2 不同沉积温度下SiC涂层物相分析 | 第28-29页 |
3.1.3 不同沉积温度下SiC涂层截面的形貌 | 第29-30页 |
3.1.4 不同沉积温度下石墨基体与SiC涂层界面处的形貌 | 第30-31页 |
3.1.5 沉积温度对样品抗氧化性能的影响 | 第31-32页 |
3.1.6 混合气体流量对SiC涂层致密化的影响 | 第32-34页 |
3.1.7 不同混合气体流量下SiC涂层表面的形貌 | 第34-35页 |
3.1.8 混合气体流量对样品抗氧化性能的影响 | 第35-36页 |
3.1.9 沉积时间对SiC涂层致密化的影响 | 第36-39页 |
3.2 料浆法制备SiC涂层 | 第39-46页 |
3.2.1 烧结温度对SiC涂层致密化的影响 | 第40-41页 |
3.2.2 不同烧结温度下SiC涂层物相分析 | 第41-42页 |
3.2.3 不同烧结温度下SiC涂层表面的形貌 | 第42-43页 |
3.2.4 不同烧结温度下SiC涂层截面的形貌 | 第43-44页 |
3.2.5 不同烧结温度下石墨基体内部的形貌 | 第44-46页 |
3.3 SiC涂层的缺陷表征及修饰 | 第46-48页 |
3.3.1 SiC涂层表面的缺陷表征 | 第46-47页 |
3.3.2 SiC涂层表面修饰层的制备 | 第47-48页 |
3.4 表面氮化处理对CVD法制备的SiC涂层致密化的影响 | 第48-53页 |
3.4.1 表面氮化处理对CVD法制得的SiC涂层表面物相的影响 | 第49-50页 |
3.4.2 表面氮化处理对Si_3N_4涂层表面形貌的影响 | 第50-51页 |
3.4.3 表面氮化处理对Si_3N_4涂层截面形貌的影响 | 第51-52页 |
3.4.4 烧结温度对样品抗氧化性能的影响 | 第52-53页 |
3.5 料浆法制备的SiC涂层表面修饰层的制备 | 第53-58页 |
3.5.1 表面氮化处理对利用料浆法制备的SiC涂层致密化的影响 | 第53-55页 |
3.5.2 表面氮化处理对Si_3N_4-SiC复合涂层表面物相的影响 | 第55页 |
3.5.3 表面氮化处理对利用料浆法制备的样品表面形貌的影响 | 第55-56页 |
3.5.4 表面氮化处理对利用料浆法制备的样品截面形貌的影响 | 第56-57页 |
3.5.5 烧结温度对样品抗氧化性能的影响 | 第57-58页 |
3.6 涂层氧化机理分析 | 第58-61页 |
第四章 结论 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
攻读硕士期间的科研成果 | 第67页 |