| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-36页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·稀磁半导体简介 | 第10-18页 |
| ·稀磁半导体的概念 | 第10页 |
| ·稀磁半导体的分类 | 第10-11页 |
| ·稀磁半导体的性质 | 第11-13页 |
| ·稀磁半导体的磁性来源 | 第13-15页 |
| ·稀磁半导体材料的制备方法 | 第15-18页 |
| ·磁控溅射技术 | 第16页 |
| ·分子束外延法 | 第16-17页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第17页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第17-18页 |
| ·化学气相沉积法 | 第18页 |
| ·离子注入法 | 第18页 |
| ·AlN 的基本性质 | 第18-21页 |
| ·AlN 基稀磁半导体材料的研究进展 | 第21-28页 |
| ·AlN 基稀磁半导体材料的理论研究 | 第21-23页 |
| ·AlN 基稀磁半导体材料的实验研究 | 第23-28页 |
| ·磁性元素掺杂AlN 稀磁半导体材料的实验研究 | 第23-26页 |
| ·非磁性元素掺杂AlN 稀磁半导体材料的实验研究 | 第26-28页 |
| ·AlN 基稀磁半导体材料研究中尚待解决的问题 | 第28页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-36页 |
| 第二章 实验原理和实验过程 | 第36-50页 |
| ·射频磁控溅射的基本原理 | 第36-38页 |
| ·溅射现象 | 第36-37页 |
| ·磁控溅射工作原理 | 第37页 |
| ·直流溅射和射频溅射 | 第37-38页 |
| ·实验设备与使用步骤 | 第38-42页 |
| ·实验设备 | 第38页 |
| ·实验步骤 | 第38-41页 |
| ·注意事项 | 第41-42页 |
| ·测试与表征方法介绍 | 第42-46页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第42-43页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第43页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第43-44页 |
| ·超导量子干涉仪（SQUID） | 第44-45页 |
| ·荧光分光光度计（PL 谱仪） | 第45-46页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第46页 |
| ·实验准备与实验过程 | 第46-48页 |
| ·基片处理 | 第46-47页 |
| ·靶材处理 | 第47页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第三章 磁性元素Ni 掺杂AlN 稀磁半导体薄膜的制备及表征 | 第50-68页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·Ni 掺杂AlN 薄膜结构分析 | 第51-53页 |
| ·Ni 掺杂AlN 薄膜成分分析 | 第53-54页 |
| ·Ni 掺杂AlN 薄膜形貌分析 | 第54-56页 |
| ·Ni 掺杂AlN 薄膜磁学性能分析 | 第56-58页 |
| ·Ni 掺杂AlN 薄膜磁性来源 | 第58-60页 |
| ·Ni 掺杂AlN 薄膜光学性能分析 | 第60-62页 |
| ·Ni 掺杂AlN 薄膜室温PL 分析 | 第60-61页 |
| ·Ni 掺杂AlN 薄膜拉曼分析 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 第四章 非磁性元素Si 掺杂AlN 稀磁半导体薄膜的制备及表征 | 第68-82页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·Si 掺杂AlN 薄膜结构分析 | 第69-71页 |
| ·Si 掺杂AlN 薄膜成分分析 | 第71-72页 |
| ·Si 掺杂AlN 薄膜形貌分析 | 第72-73页 |
| ·Si 掺杂AlN 薄膜磁学性能分析 | 第73-75页 |
| ·Si 掺杂AlN 薄膜光学性能分析 | 第75-76页 |
| ·Si 掺杂AlN 薄膜的磁性来源 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第五章 结论与展望 | 第82-85页 |
| ·结论 | 第82-83页 |
| ·磁性元素Ni 掺杂AlN 薄膜 | 第82-83页 |
| ·非磁性元素Si 掺杂AlN 薄膜 | 第83页 |
| ·问题和展望 | 第83-85页 |
| 附录 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |