| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-36页 |
| ·二氧化钒简介 | 第10-12页 |
| ·VO_2的相变特点介绍 | 第12-14页 |
| ·电学性质的突变 | 第12页 |
| ·光学性质的突变 | 第12-13页 |
| ·磁性方面的突变 | 第13页 |
| ·晶格结构的变化 | 第13-14页 |
| ·VO_2薄膜材料的应用前景 | 第14-17页 |
| ·智能窗 | 第14页 |
| ·THZ线性偏振片 | 第14-16页 |
| ·超级电容器 | 第16-17页 |
| ·电子自旋器件 | 第17页 |
| ·VO_2薄膜的制备方法 | 第17-22页 |
| ·激光脉冲沉积(PLD) | 第17-18页 |
| ·磁控溅射法 | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第19页 |
| ·溶胶凝胶法(sol-gel) | 第19-20页 |
| ·水热法(hydrothermal method) | 第20-22页 |
| ·VO_2的相变机理解释 | 第22-26页 |
| ·VO_2的能带结构 | 第22-23页 |
| ·Mott相变机理 | 第23-24页 |
| ·Peierls相变机理解释 | 第24-25页 |
| ·Mort相变和Peierls相变的协同作用机理 | 第25-26页 |
| ·VO_2相变温度的调控方法 | 第26-29页 |
| ·电场调控VO_2相变温度 | 第26-27页 |
| ·应力调控VO_2相变温度 | 第27-28页 |
| ·异质p-n节调控VO_2的相变温度 | 第28-29页 |
| ·金属掺杂调控VO_2相变温度 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-36页 |
| 第二章 分子束外延(MBE)技术及表征 | 第36-48页 |
| ·分子束外延技术 | 第36-43页 |
| ·MBE设备简介 | 第37-41页 |
| ·MBE技术简介 | 第41-43页 |
| ·VO_2薄膜的常用表征方法 | 第43-47页 |
| ·拉曼(Raman)表征技术 | 第43-44页 |
| ·X射线衍射(XRD)表征技术 | 第44-45页 |
| ·原子力显微镜(AFM)表征技术 | 第45-46页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)技术 | 第46-47页 |
| ·透射电子显微(TEM)技术 | 第47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 电压对VO_2薄膜材料的金属-绝缘相变行为调控的研究 | 第48-60页 |
| ·研究背景 | 第48-49页 |
| ·实验方法 | 第49页 |
| ·实验结果与讨论 | 第49-54页 |
| ·样品表征 | 第49-50页 |
| ·伏安曲线 | 第50-52页 |
| ·动力学过程研究 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 第四章 VO_2材料在其它领域的初步研究 | 第60-70页 |
| ·VO_2与磁性材料复合的初步研究 | 第60-62页 |
| ·VO_2与GaN材料的复合 | 第62-66页 |
| ·样品的制备与表征 | 第62-64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 硕士期间所发表的论文 | 第74页 |