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由二茂铁单元形成的双量子点的传输性质

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-16页
   ·课题研究的背景及意义第10-11页
   ·导电高分子材料的主要应用第11-13页
     ·导电高分子材料的分类第11页
     ·导电高分子材料的主要应用领域第11-13页
   ·含二茂铁基的高分子导电材料第13-15页
   ·课题的来源和主要研究内容第15-16页
第2章 理论基础第16-23页
   ·引言第16页
   ·密度泛函理论(DFT)第16-20页
     ·Thomas-Fermi 模型第16-17页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第17-18页
     ·Kohn-Sham 方法第18-19页
     ·交换关联能泛函第19-20页
   ·非平衡格林函数方法第20-22页
   ·本章小结第22-23页
第3章 计算模型和方法第23-28页
   ·引言第23-24页
   ·计算模型第24-25页
   ·理论方法第25-27页
     ·VASP 计算第25-26页
     ·ATK 计算第26-27页
   ·本章小结第27-28页
第4章 由二茂铁单元形成的基双量子点的电子运输性质第28-40页
   ·引言第28页
   ·几何结构与电子结构第28-32页
   ·电子的传输性质第32-39页
     ·NDR 性质第33-37页
     ·比较系统a 和b, c 和d, e 和f第37页
     ·[Fc–SiH_2]_2 的整流效应第37-39页
   ·本章小结第39-40页
结论第40-41页
参考文献第41-44页
攻读硕士学位期间所发表的学术论文第44-45页
致谢第45页

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