| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·GaN的基本结构和性质 | 第10-11页 |
| ·二维GaN基LED的发展和存在问题 | 第11-12页 |
| ·三维GaN纳米阵列 | 第12-17页 |
| ·三维GaN纳米阵列的特性 | 第12-14页 |
| ·三维GaN纳米阵列的制备方法 | 第14-17页 |
| ·本文选题的依据及研究内容 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第二章 GaN纳米阵列的制备和表征方法 | 第22-32页 |
| ·GaN纳米阵列的制备 | 第22-27页 |
| ·MOCVD系统简介 | 第22-23页 |
| ·ICP刻蚀系统简介 | 第23-26页 |
| ·电子束蒸镀简介 | 第26页 |
| ·PECVD系统简介 | 第26-27页 |
| ·实验表征方法 | 第27-30页 |
| ·扫描电子显微镜（Scanning electron microscope, SEM） | 第27页 |
| ·拉曼散射光谱（Raman） | 第27-28页 |
| ·光致发光光谱（photoluminescence，PL） | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 GaN纳米阵列的制备及形貌和光学性能 | 第32-48页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·GaN纳米结构阵列的制备 | 第32-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-43页 |
| ·ICP工艺参数对GaN刻蚀速率的影响 | 第34-36页 |
| ·刻蚀时间对GaN纳米锥阵列形貌的影响 | 第36页 |
| ·RF功率对GaN纳米锥阵列形貌的影响 | 第36-37页 |
| ·RF功率对GaN纳米锥阵列光学性能的影响 | 第37-38页 |
| ·GaN纳米锥阵列的应力分析 | 第38-40页 |
| ·KOH腐蚀对GaN纳米锥阵列形貌及光学性能的影响 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第四章 InGaN/GaN纳米棒的制备及光学性能研究 | 第48-59页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·InGaN/GaN纳米棒阵列的制备 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-56页 |
| ·刻蚀时间对SiO2层形貌的影响 | 第49-50页 |
| ·InGaN/GaN纳米棒阵列的截面形貌 | 第50-51页 |
| ·InGaN/GaN纳米棒阵列的发光特性 | 第51-52页 |
| ·InGaN/GaN纳米棒阵列的应力分析 | 第52-53页 |
| ·KOH腐蚀对InGaN/GaN纳米棒阵列的形貌及光学性能的影响 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第59页 |
| ·展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62页 |
