沉积条件对人工心瓣含硅低温热解炭微观结构的影响
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·碳的同素异构体 | 第10-13页 |
| ·热解炭材料的分类 | 第13-15页 |
| ·偏光显微镜下的分类 | 第13页 |
| ·透射电镜下的分类 | 第13-14页 |
| ·扫描电镜下的分类 | 第14-15页 |
| ·人工心瓣含硅低温热解炭 | 第15-17页 |
| ·人工心瓣 | 第15-16页 |
| ·人工心瓣含硅低温热解炭 | 第16-17页 |
| ·国内外研究现状 | 第17-18页 |
| ·本文研究目的和主要内容 | 第18-20页 |
| 第2章 材料制备与实验方法 | 第20-24页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·准稳态流化床化学气相沉积工艺 | 第20-22页 |
| ·准稳态流化床 | 第20页 |
| ·沉积装置 | 第20-21页 |
| ·工艺参数的设定 | 第21-22页 |
| ·材料分析方法 | 第22-24页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第22-23页 |
| ·扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）分析 | 第23页 |
| ·密度 | 第23-24页 |
| 第3章 X 射线衍射分析 | 第24-39页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·含硅低温热解炭涂层的衍射特点 | 第25-28页 |
| ·热解炭的存在形式 | 第25-26页 |
| ·碳化硅的存在形式 | 第26-27页 |
| ·绝热法计算碳化硅质量分数 | 第27-28页 |
| ·含硅低温热解炭全谱拟合 | 第28-29页 |
| ·Rietveld 方法 | 第28-29页 |
| ·Rietveld 方法全谱拟合精修过程 | 第29页 |
| ·X 射线物相及定量结果 | 第29-35页 |
| ·各样品衍射图谱 | 第30-31页 |
| ·热解炭微晶层间距 d002分析 | 第31-32页 |
| ·石墨化度分析 | 第32-33页 |
| ·热解炭微晶尺寸 Lc 分析 | 第33页 |
| ·碳化硅微晶尺寸和质量分数 | 第33-35页 |
| ·基体附近热解炭微晶分析 | 第35-38页 |
| ·X 射线入射深度 | 第35-36页 |
| ·界面处热解炭微晶状态 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第4章 热解炭微观形貌和密度 | 第39-49页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·扫描电镜和透射电镜观察分析 | 第39-46页 |
| ·扫描电镜下形貌 | 第39-42页 |
| ·透射电镜下形貌 | 第42-45页 |
| ·颗粒团之间空隙和碳化硅微晶 | 第45-46页 |
| ·密度分析 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第5章 热解炭沉积机理探讨 | 第49-58页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·热解炭沉积机理 | 第49-55页 |
| ·均气相反应 | 第50-52页 |
| ·气固相反应 | 第52-53页 |
| ·热解炭形核 | 第53-55页 |
| ·热解炭沉积过程模型 | 第55页 |
| ·沉积温度和丙烷浓度对沉积机理和微观结构的影响 | 第55-57页 |
| ·低丙烷浓度 | 第55-56页 |
| ·高丙烷浓度 | 第56-57页 |
| ·沉积温度 | 第57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第6章 总结与展望 | 第58-60页 |
| ·总结 | 第58-59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录 | 第65页 |
