| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-15页 |
| ·引言 | 第6-7页 |
| ·本文的意义和目的 | 第7-8页 |
| ·锑化物半导体材料 | 第8-14页 |
| ·GaSb材料性质 | 第8-10页 |
| ·InAs/GaSb超晶格 | 第10-13页 |
| ·超晶格材料的发展现状 | 第13-14页 |
| ·本文研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 MBE外延技术和测试方法 | 第15-30页 |
| ·分子束外延技术 | 第15-22页 |
| ·分子束外延生长的特点 | 第15-17页 |
| ·分子束外延生长运作机理 | 第17-19页 |
| ·MBE生长GaSb/GaSb、InAs/GaSb薄膜影响因素 | 第19-20页 |
| ·异质外延界面的失配度、应力对InAs/GaSb薄膜的影响 | 第20-22页 |
| ·测试方法 | 第22-29页 |
| ·双晶X射线衍射谱测量技术（XRD） | 第23-26页 |
| ·光致发光谱测量技术（PL） | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 GaSb同质外延的模拟生长及表征 | 第30-38页 |
| ·XRD摇摆曲线模拟软件介绍 | 第30-34页 |
| ·GaSb同质外延薄膜生长 | 第34-37页 |
| ·GaSb同质外延的生长 | 第34-36页 |
| ·GaSb同质外延薄膜的模拟与测试 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 InAs/GaSb超晶格材料的生长及测试表征 | 第38-45页 |
| ·XRD模拟软件模拟材料生长对应力的影响 | 第38-39页 |
| ·不同周期的InAs/GaSb超晶格的生长 | 第39-40页 |
| ·不同的InAs/GaSb超晶格材料的XRD测试 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 结论 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
