| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| ·半导体激光器 | 第6-7页 |
| ·半导体激光器的应用 | 第7-8页 |
| ·980nm半导体激光器国内外研究进展 | 第8-11页 |
| ·本文的研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 应变量子阱激光器的理论基础 | 第12-18页 |
| ·量子阱的理论基础 | 第12-14页 |
| ·应变量子阱的理论基础 | 第14-18页 |
| 第三章 InGaAs/GaAsP结构设计 | 第18-30页 |
| ·InGaAs/GaAsP量子阱中InGaAs材料性质 | 第18-20页 |
| ·InGaAs/GaAsP量子阱中GaAsP材料性质 | 第20-21页 |
| ·InGaAs、GaAsP带隙宽度的计算 | 第21-23页 |
| ·InGaAs/GaAsP量子阱参数的确定 | 第23-26页 |
| ·不同垒层材料的增益特性 | 第26-27页 |
| ·量子阱数目的确定 | 第27-28页 |
| ·多量子阱中势垒层中P组分对器件性能的影响 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 有源区外延层结构的优化 | 第30-38页 |
| ·对于垂直发散角的理论分析 | 第30-31页 |
| ·非对称波导的理论基础与模拟分析 | 第31-36页 |
| ·非对称宽波导多量子阱结构的性能测试 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 InGaAs材料的MOCVD外延生长 | 第38-50页 |
| ·MOCVD设备简介 | 第38-39页 |
| ·MOCVD工艺简介 | 第39-41页 |
| ·PL谱测试技术 | 第41-42页 |
| ·MOCVD生长条件对InGaAs材料的发光特性的影响 | 第42-48页 |
| ·InGaAs/GaAsP单量子阱的发光特性 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 总结 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
