| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-18页 |
| ·论文选题背景 | 第11-12页 |
| ·碳化硅晶体材料特性 | 第12-14页 |
| ·碳化硅的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·碳化硅的物理性质 | 第13-14页 |
| ·碳化硅的化学性质 | 第14页 |
| ·碳化硅晶体的加工工艺 | 第14-15页 |
| ·化学机械抛光技术 | 第15-16页 |
| ·化学机械抛光概述 | 第15页 |
| ·化学机械抛光的材料去除机理 | 第15页 |
| ·化学机械抛光的关键技术及存在问题 | 第15-16页 |
| ·固结磨料化学机械抛光和游离磨料化学机械抛光 | 第16页 |
| ·SiC 晶体基片抛光加工技术 | 第16-17页 |
| ·SiC 游离磨料化学机械抛光的研究现状 | 第16-17页 |
| ·SiC 固结磨料化学机械抛光的研究现状 | 第17页 |
| ·课题来源及主要研究内容 | 第17页 |
| ·课题来源 | 第17页 |
| ·主要研究内容 | 第17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 2 SiC 晶体固结磨料化学机械抛光试验条件及研究方法 | 第18-25页 |
| ·试验仪器与设备 | 第18-23页 |
| ·抛光试验台 | 第18-21页 |
| ·检测仪器及设备 | 第21-23页 |
| ·试验样品 | 第23页 |
| ·试验设计方法的选择 | 第23-24页 |
| ·试验数据处理方法的选择 | 第24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3 固结磨料化学机械抛光液基本成分选择 | 第25-53页 |
| ·影响 SiC 抛光液质量的因素分析 | 第25-26页 |
| ·抛光液的性能评价指标 | 第26-27页 |
| ·抛光液的成分对 MRR 和 Ra 的影响 | 第27-50页 |
| ·磨料的影响 | 第27-32页 |
| ·分散剂剂的影响 | 第32-35页 |
| ·无机碱的影响 | 第35-38页 |
| ·有机碱的影响 | 第38-44页 |
| ·氧化剂的影响 | 第44-48页 |
| ·表面活性剂的影响 | 第48-50页 |
| ·固结磨料化学机械抛光液的确定 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 4 化学机械抛光工艺参数研究 | 第53-66页 |
| ·影响化学机械抛光速率和表面质量的主要因素 | 第53-54页 |
| ·工艺参数正交实验设计 | 第54-56页 |
| ·磨粒粒径对抛光的影响 | 第56-60页 |
| ·温度对 SiC 化学机械抛光的影响 | 第60-65页 |
| ·氧化剂为双氧水的温度变化实验 | 第61-63页 |
| ·氧化剂选用高锰酸钾对去除率的影响分析 | 第63-65页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| 5 固结磨料化学机械抛光液成分优化 | 第66-76页 |
| ·固结磨料化学机械抛光垫研究 | 第66-67页 |
| ·固结磨料化学机械抛光液 | 第67-74页 |
| ·固结磨料抛光垫正交实验 | 第67-71页 |
| ·固结磨料抛光垫单因素实验 | 第71-74页 |
| ·研究结论 | 第74-76页 |
| 6 结论与展望 | 第76-78页 |
| ·研究结论 | 第76页 |
| ·研究展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 个人简历 | 第82页 |