| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·二氧化硅概述 | 第10-11页 |
| ·二氧化硅的制备方法 | 第11-15页 |
| ·气相法 | 第12页 |
| ·沉淀法 | 第12-13页 |
| ·溶胶-凝胶法（Sol-Gel 法） | 第13页 |
| ·反相胶束微乳液法 | 第13-14页 |
| ·水热合成法 | 第14页 |
| ·超重力反应法 | 第14-15页 |
| ·二氧化硅表面的APTES 修饰 | 第15-17页 |
| ·APTES 修饰二氧化硅的主要方法 | 第15-16页 |
| ·氨基二氧化硅的表征 | 第16-17页 |
| ·SiCl_4的应用现状 | 第17-21页 |
| ·制备气相法SiO_2 | 第17页 |
| ·制备沉淀SiO_2 | 第17-18页 |
| ·生产硅烷类产品 | 第18-20页 |
| ·生产多晶硅 | 第20-21页 |
| ·本论文的研究意义、创新点和研究内容 | 第21-23页 |
| ·本论文的研究意义 | 第21-22页 |
| ·本论文的创新点 | 第22页 |
| ·本论文的研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 SiO_2粉体的制备及表征 | 第23-40页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·实验部分 | 第23-25页 |
| ·试剂和实验设备 | 第23-24页 |
| ·制备原理 | 第24页 |
| ·二氧化硅的制备及工艺流程 | 第24-25页 |
| ·表征方法 | 第25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-32页 |
| ·硅酸钠浓度对产品粒径的影响 | 第25-27页 |
| ·反应温度对SiO_2颗粒粒径的影响 | 第27-28页 |
| ·PEG 浓度对SiO_2颗粒粒径的影响 | 第28-29页 |
| ·乙醇添加量对SiO_2颗粒粒径的影响 | 第29-30页 |
| ·pH 对制备SiO_2的影响 | 第30-31页 |
| ·焙烧温度的影响 | 第31-32页 |
| ·SiO_2的测试与表征 | 第32-34页 |
| ·XRD 分析 | 第32-33页 |
| ·红外分析 | 第33页 |
| ·TG 分析 | 第33-34页 |
| ·透射电镜（TEM）及粒径分析 | 第34页 |
| ·SiO_2理化指标和卫生指标分析 | 第34-39页 |
| ·二氧化硅含量的测定 | 第35页 |
| ·二氧化硅105℃挥发物含量的测定 | 第35-36页 |
| ·干剂灼烧失重的测定 | 第36页 |
| ·白度的测定 | 第36页 |
| ·铁含量的测试 | 第36-37页 |
| ·氯化钠含量的测量 | 第37-38页 |
| ·菌落总数的测定 | 第38页 |
| ·粪大肠菌群的测定 | 第38页 |
| ·铜绿假单胞菌的测定 | 第38页 |
| ·金黄色葡萄球菌的测定 | 第38页 |
| ·重金属（Pb）含量 | 第38页 |
| ·砷含量的测定 | 第38页 |
| ·产品SiO_2的性能检测结果 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 表面氨基功能化二氧化硅粒子的制备及在茶油精制中的应用 | 第40-51页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·APTES 修饰SiO_2粒子 | 第41-42页 |
| ·试剂及仪器 | 第41页 |
| ·实验原理 | 第41页 |
| ·SiO_2的制备 | 第41-42页 |
| ·SiO_2表面的氨基功能化 | 第42页 |
| ·APTES 修饰SiO_2粒子的检测 | 第42页 |
| ·凯氏定氮法测定SiO_2表面氨基含量 | 第42-44页 |
| ·仪器及试剂 | 第43页 |
| ·操作过程 | 第43-44页 |
| ·结果与分析 | 第44-48页 |
| ·反应时间对SiO_2表面氨基含量的影响 | 第44页 |
| ·反应温度对SiO_2表面氨基含量的影响 | 第44-45页 |
| ·APTES 用量对SiO_2表面氨基含量的影响 | 第45-46页 |
| ·溶剂对SiO_2表面氨基含量的影响 | 第46页 |
| ·样品的XRD 表征结果与分析 | 第46-47页 |
| ·红外分析 | 第47页 |
| ·TEM 表征 | 第47-48页 |
| ·氨基二氧化硅在茶油精制中的应用 | 第48-49页 |
| ·实验原料及仪器 | 第48页 |
| ·实验原理 | 第48页 |
| ·实验过程 | 第48页 |
| ·茶油酸价的检测 | 第48-49页 |
| ·本章总结 | 第49-51页 |
| 第四章 总结与展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 附录 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |