| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-31页 |
| 第一节 光伏太阳电池的研究进展 | 第14-17页 |
| ·光伏太阳电池的研究意义 | 第14-15页 |
| ·光伏太阳电池的研究现状 | 第15-17页 |
| 第二节 电沉积制备CIGSe太阳电池 | 第17-22页 |
| ·电沉积制备CIGSe太阳电池的研究意义 | 第17-18页 |
| ·电沉积制备CIGSe太阳电池的发展历程和现状 | 第18-21页 |
| ·电沉积CIGSe太阳电池的主要难点 | 第21-22页 |
| 第三节 本论文的研究内容及意义 | 第22-29页 |
| ·金属Ga的电沉积研究 | 第22-25页 |
| ·等离子体硒化的研究 | 第25-28页 |
| ·CIGSe薄膜硫化的研究 | 第28-29页 |
| 第四节 本论文的结构 | 第29-31页 |
| 第二章 电沉积制备CIGSe薄膜电池的基本理论和分析方法 | 第31-43页 |
| 第一节 电化学沉积Cu-In-Ga金属预制层的基本原理 | 第31-35页 |
| ·金属电沉积原理 | 第31-34页 |
| ·电流效率计算 | 第34-35页 |
| 第二节 电化学测试方法及原理 | 第35-39页 |
| ·循环伏安法测试 | 第35页 |
| ·霍尔槽测试 | 第35-37页 |
| ·电化学阻抗测试 | 第37-39页 |
| 第三节 等离子体硒化设备及CIGSe薄膜电池制备工艺 | 第39-41页 |
| ·等离子体硒化设备 | 第39-40页 |
| ·CIGSe薄膜电池制备工艺 | 第40-41页 |
| 第四节 薄膜及太阳电池分析测试方法 | 第41-43页 |
| ·CIGSe薄膜分析技术及原理 | 第41-42页 |
| ·CIGSe太阳电池测试方法 | 第42-43页 |
| 第三章 Cu/In衬底上电沉积金属Ga层的研究 | 第43-80页 |
| 第一节 电沉积Cu/In金属预制层的研究 | 第43-49页 |
| ·电沉积金属Cu层的研究 | 第44-47页 |
| ·电沉积金属In层的研究 | 第47-49页 |
| 第二节 水溶液体系对Cu/In衬底的影响 | 第49-56页 |
| ·导电盐对Cu/In衬底的影响 | 第50-55页 |
| ·溶液pH值对Cu/In衬底的影响 | 第55-56页 |
| 第三节 金属Ga电沉积的研究 | 第56-67页 |
| ·电沉积Ga溶液pH值的研究 | 第57-59页 |
| ·金属Ga电沉积的电化学分析 | 第59-62页 |
| ·电沉积Cu-In-Ga金属预制层的研究 | 第62-67页 |
| 第四节 电沉积Ga薄膜质量的研究 | 第67-77页 |
| ·三乙醇胺对电沉积Ga薄膜的影响 | 第68-72页 |
| ·葡萄糖对电沉积Ga薄膜的影响 | 第72-74页 |
| ·电沉积Ga溶液的优化 | 第74-77页 |
| 第五节 本章小结 | 第77-80页 |
| 第四章 电沉积Cu-In-Ga金属预制层等离子体硒化的研究 | 第80-117页 |
| 第一节 电沉积Cu-In-Ga金属预制层的合金化处理 | 第80-89页 |
| ·电沉积Cu-In-Ga金属预制层直接硒化的效果 | 第80-82页 |
| ·Cu-In-Ga金属预制层的合金化处理 | 第82-87页 |
| ·合金化处理对硒化后CIGSe薄膜的影响 | 第87-89页 |
| 第二节 等离子体硒化对CIGSe结晶质量的影响 | 第89-100页 |
| ·辉光气体对CIGSe薄膜的影响 | 第89-95页 |
| ·等离子体功率对CIGSe薄膜结晶质量的影响 | 第95-100页 |
| 第三节 等离子体硒化对CIGSe反应路径的影响 | 第100-109页 |
| ·硒化过程中各反应的动力学分析 | 第101-106页 |
| ·等离子体硒化的反应路径 | 第106-109页 |
| 第四节 等离子体硒化CIGSe薄膜电池性能的研究 | 第109-115页 |
| ·等离子体功率对电池性能影响 | 第109-112页 |
| ·等离子体活化硒制备CIGSe薄膜的优化 | 第112-115页 |
| 第五节 本章小结 | 第115-117页 |
| 第五章 Cu(In,Ga)Se_2薄膜硒硫化的研究 | 第117-141页 |
| 第一节 硒硫化对Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜的影响 | 第117-123页 |
| ·硒硫化对薄膜结构的影响 | 第118-119页 |
| ·硒硫化对薄膜元素分布的影响 | 第119-122页 |
| ·硒硫化对Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜形貌的影响 | 第122-123页 |
| ·硒硫化对Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜电池性能的影响 | 第123页 |
| 第二节 Cu-In-Ga金属预制层硒硫化反应机理 | 第123-132页 |
| ·Cu-In-Ga金属预制层的H2S硫化处理 | 第124-127页 |
| ·Cu-In-Ga金属预制层的硒硫化处理 | 第127-131页 |
| ·Cu-In-Ga金属预制层硒硫化的反应机理 | 第131-132页 |
| 第三节 预硒化Cu(In,Ga)Se_2薄膜对硒硫化的影响 | 第132-140页 |
| ·预硒化衬底温度对硒硫化Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜的影响 | 第132-136页 |
| ·预硒化衬底温度对Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜电池性能的影响 | 第136-137页 |
| ·Cu(In,Ga)(S,Se)_2薄膜电池的优化 | 第137-140页 |
| 第四节 本章小结 | 第140-141页 |
| 第六章 结论与展望 | 第141-144页 |
| 第一节 本文主要结论 | 第141-143页 |
| 第二节 后续工作及展望 | 第143-144页 |
| 参考文献 | 第144-152页 |
| 致谢 | 第152-153页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第153页 |
