碳化硅中子探测器的研究
| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·选题背景和研究意义 | 第13-16页 |
| ·选题背景 | 第13-15页 |
| ·研究意义 | 第15-16页 |
| ·室温半导体中子探测器的研究现状 | 第16-19页 |
| ·中子探测器的分类 | 第16-17页 |
| ·室温半导体探测器的研究现状 | 第17-19页 |
| ·碳化硅中子探测器的研究现状 | 第19-23页 |
| ·SiC 材料特性 | 第19-21页 |
| ·碳化硅中子探测器的国内外研究现状与发展趋势 | 第21-23页 |
| ·论文主要研究工作和内容安排 | 第23-25页 |
| ·主要研究工作 | 第23页 |
| ·本文内容安排 | 第23-25页 |
| 第二章 半导体中子探测器的理论基础 | 第25-38页 |
| ·中子探测的原理和方法 | 第25-28页 |
| ·中子的基本性质及分类 | 第25-26页 |
| ·中子探测的基本原理和方法 | 第26-28页 |
| ·半导体中子探测器的工作原理 | 第28-34页 |
| ·核反冲法测量原理 | 第28-32页 |
| ·PN 结型半导体中子探测器的工作原理 | 第32-33页 |
| ·PIN 型半导体中子探测器的工作原理 | 第33-34页 |
| ·半导体中子探测器的性能指标 | 第34-37页 |
| ·探测效率 | 第34页 |
| ·能量分辨率 | 第34-35页 |
| ·时间分辨特性——衰减时间和死时间 | 第35-36页 |
| ·线性响应 | 第36页 |
| ·工作稳定性 | 第36-37页 |
| ·抗辐照硬度 | 第37页 |
| ·n/γ甄别特性 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 碳化硅中子探测器的物理建模 | 第38-51页 |
| ·碳化硅中子探测器的工作原理 | 第38-41页 |
| ·中子在碳化硅探测器中的输运机理 | 第38页 |
| ·碳化硅中子探测器的结构 | 第38-40页 |
| ·测试系统和信号形成过程 | 第40-41页 |
| ·碳化硅中子探测器的物理建模 | 第41-50页 |
| ·探测器灵敏区厚度与耗尽电压 | 第41-43页 |
| ·探测器电容 | 第43-44页 |
| ·探测器输出脉冲波形 | 第44-46页 |
| ·探测器反向漏电流 | 第46-47页 |
| ·理论探测效率 | 第47-49页 |
| ·本征能量分辨率 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 碳化硅中子探测器的模拟研究 | 第51-69页 |
| ·仿真软件简介 | 第51-53页 |
| ·蒙特卡罗方法及 MCNP 软件 | 第51-53页 |
| ·SRIM 软件 | 第53页 |
| ·质子辐照响应的 SRIM 软件模拟研究 | 第53-56页 |
| ·质子在碳化硅及聚乙烯中的射程 | 第54-55页 |
| ·质子在碳化硅及聚乙烯中的电离能量损失 | 第55-56页 |
| ·中子辐照响应的蒙特卡罗模拟研究 | 第56-61页 |
| ·碳化硅中子探测器仿真模型的建立 | 第56-59页 |
| ·探测器性能的 MCNP 模拟研究 | 第59-61页 |
| ·模拟结果 | 第61-68页 |
| ·质子射程及电离能量损失 | 第61页 |
| ·灵敏体积对射线响应灵敏度的影响 | 第61-65页 |
| ·聚乙烯转化层对探测效率和响应灵敏度的影响 | 第65-67页 |
| ·能量线性响应的仿真验证 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 碳化硅中子探测器的制作与测试方案 | 第69-80页 |
| ·器件制备 | 第69-74页 |
| ·制作单位调研 | 第69-70页 |
| ·制作方案设计 | 第70-71页 |
| ·SiC 外延层的生长 | 第71页 |
| ·欧姆接触的形成 | 第71-73页 |
| ·电极成形及探测器封装 | 第73-74页 |
| ·探测器测试 | 第74-79页 |
| ·实验装置 | 第74-76页 |
| ·测试过程 | 第76-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第六章 总结与展望 | 第80-82页 |
| ·本文工作总结 | 第80-81页 |
| ·进一步工作展望 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第87页 |
