| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-19页 |
| ·电子与离子碰撞的基本过程 | 第11-13页 |
| ·双电子复合(DR)过程 | 第13-15页 |
| ·双电子复合过程的物理图像 | 第13-14页 |
| ·双电子复合过程的研究意义和研究现状 | 第14-15页 |
| ·本文的研究内容 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 理论方法 | 第19-27页 |
| ·相对论组态相互作用方法 | 第19-22页 |
| ·FAC 程序包的简介 | 第22-23页 |
| ·自电离和辐射跃迁几率 | 第23页 |
| ·双电子复合速率系数和截面 | 第23-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 类溴钨离子的DR过程 | 第27-43页 |
| ·引言 | 第27-29页 |
| ·能级 | 第29-30页 |
| ·组态相互作用对 DR 速率系数的影响 | 第30-32页 |
| ·DR 速率系数随 l′的变化 | 第32页 |
| ·内壳层电子激发的 DR 速率系数 | 第32-33页 |
| ·自由电子俘获到不同壳层的贡献 | 第33-35页 |
| ·△n=0,△n=1 和△n=2 三类不同芯激发的 DR 速率系数 | 第35-36页 |
| ·DR 截面 | 第36页 |
| ·拟合速率系数 | 第36-37页 |
| ·DR 速率、RR 和 TBR 速率系数的比较 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-43页 |
| 第四章 钨等核系列离子的DR过程 | 第43-49页 |
| ·能级 | 第43-44页 |
| ·DR 速率系数随 lˊ的变化 | 第44页 |
| ·内壳层电子激发的 DR 速率系数 | 第44-45页 |
| ·△n=0,△n=1 和△n=2 激发的 DR 速率系数 | 第45-46页 |
| ·总 DR 速率系数的拟合 | 第46-47页 |
| ·DR、RR 和 TBR 速率系数的比较 | 第47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| ·总结 | 第49页 |
| ·展望 | 第49-51页 |
| 附录I：硕士学位期间发表论文情况 | 第51-52页 |
| 附录II：硕士学位期间的学术会议论文和摘要 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |