| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| 1 引言 | 第10页 |
| 2 分子印迹电化学传感器的研究概述 | 第10-18页 |
| ·分子印迹技术的起源 | 第10-11页 |
| ·分子印迹技术的原理 | 第11-12页 |
| ·分子印迹聚合物的制备 | 第12-14页 |
| ·分子印迹聚合物的性能测试 | 第14页 |
| ·分子印迹电化学传感器的原理 | 第14-15页 |
| ·分子印迹电化学传感器的制备 | 第15-16页 |
| ·分子印迹电化学传感器的类型 | 第16-18页 |
| ·分子印迹电化学传感器的应用 | 第18页 |
| 3 碳纳米管在分析检测中的应用概述 | 第18-20页 |
| 4 β-兴奋剂概述 | 第20-22页 |
| 5 论文的指导思想及研究内容 | 第22-24页 |
| ·论文的指导思想 | 第22-23页 |
| ·论文的研究内容 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-33页 |
| 第二章 β-兴奋剂印迹SPU/单壁碳纳米管修饰玻碳电极的制备及应用 | 第33-56页 |
| 1 引言 | 第33-34页 |
| 2 实验部分 | 第34-35页 |
| ·仪器与试剂 | 第34-35页 |
| ·MIP/SPU/SWNTs/GCE的制备 | 第35页 |
| 3 结果与讨论 | 第35-52页 |
| ·MIP/SPU/SWNTs/GCE的表征 | 第35-37页 |
| ·SWNTs/GCE与MIP/SPU/SWNTs/GCE的表面形貌表征 | 第35-36页 |
| ·MIP/SPU/SWNTs/GCE的电化学表征 | 第36-37页 |
| ·MIP/SPU/SWNTs/GCE的光谱表征 | 第37页 |
| ·实验条件的优化 | 第37-38页 |
| ·SPU/TEOS的比例对印迹电极的影响 | 第37-38页 |
| ·培养时间对印迹电极的影响 | 第38页 |
| ·伏安测定 | 第38-46页 |
| ·MIP/SPU/SWNTs/GCE的选择性、重现性和稳定性 | 第46-52页 |
| ·实际样品检测 | 第52页 |
| 4 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第三章 β-兴奋剂印迹ATO溶胶凝胶/单壁碳纳米管修饰玻碳电极的制备及应用 | 第56-82页 |
| 1 引言 | 第56-57页 |
| 2 实验部分 | 第57-58页 |
| ·仪器与试剂 | 第57页 |
| ·MIP/ATO-sol-gel/SWNTs/GCE的制备 | 第57-58页 |
| 3 结果与讨论 | 第58-77页 |
| ·MIP/ATO-sol-gel/SWNTs/GCE的表征 | 第58-60页 |
| ·SWNTs/GCE与MIP/ATO-sol-gel/SWNTs/GCE的表面形貌表征 | 第58页 |
| ·MIP/ATO-sol-gel/SWNTs/GCE的电化学表征 | 第58-59页 |
| ·MIP/ATO-sol-gel/SWNTs/GCE的光谱表征 | 第59-60页 |
| ·实验条件的优化 | 第60-63页 |
| ·ATO/硅溶胶的比例对印迹电极的影响 | 第60-61页 |
| ·固含量对印迹电极的影响 | 第61-62页 |
| ·pH对印迹电极的影响 | 第62页 |
| ·培养时间对印迹电极的影响 | 第62-63页 |
| ·线性测定 | 第63-71页 |
| ·MIP/ATO-sol-gel/SWNTs/GCE的选择性、重现性和稳定性 | 第71-77页 |
| ·实际样品检测 | 第77页 |
| 4 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 结论 | 第82-83页 |
| 附录 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
