| 内容提要 | 第1-5页 |
| 中文摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-39页 |
| 前言 | 第15页 |
| ·石墨烯的简介 | 第15-32页 |
| ·碳材料的发展史及石墨烯的发现 | 第15-17页 |
| ·石墨烯的结构 | 第17-18页 |
| ·石墨烯的性质 | 第18-22页 |
| ·石墨烯及石墨烯基材料的应用前景 | 第22-26页 |
| ·石墨烯的制备方法 | 第26-32页 |
| ·碳素核壳结构材料的简介 | 第32-34页 |
| ·碳素核壳材料的结构 | 第32页 |
| ·碳素核壳材料的性质及应用 | 第32-34页 |
| ·冷阴极材料的场发射性能 | 第34-37页 |
| ·场发射的简介 | 第34-35页 |
| ·冷阴极场发射材料的基本要求 | 第35页 |
| ·碳基纳米材料的场发射性能 | 第35-37页 |
| ·本论文的选题依据和研究内容 | 第37-39页 |
| 第2章 多晶钴薄膜上石墨烯的制备及其透明导电性能的研究 | 第39-53页 |
| ·前言 | 第39-40页 |
| ·实验条件 | 第40-42页 |
| ·多晶钴薄膜的制备 | 第40页 |
| ·石墨烯的制备 | 第40页 |
| ·表征方法 | 第40-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-52页 |
| ·石墨烯的形貌及微观结构的表征 | 第42-49页 |
| ·石墨烯的光学透过率和表面电阻测试 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第3章 沉积条件对石墨烯品质的影响及石墨烯生长机制的研究 | 第53-79页 |
| ·前言 | 第53-55页 |
| ·实验 | 第55-56页 |
| ·实验条件 | 第55-56页 |
| ·表征方法 | 第56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-76页 |
| ·钴薄膜厚度对石墨烯的石墨化程度、晶体尺寸和层数的影响 | 第56-60页 |
| ·基底温度对石墨烯的石墨化程度、晶体尺寸和层数的影响 | 第60-63页 |
| ·沉积时间对石墨烯的石墨化程度、晶体尺寸和层数的影响 | 第63-70页 |
| ·石墨烯的生长机制研究 | 第70-76页 |
| ·本章小结 | 第76-79页 |
| 第4章 铜/石墨核壳结构及铜/石墨-石墨烯片核壳结构材料的制备 | 第79-93页 |
| ·前言 | 第79-80页 |
| ·实验条件 | 第80-82页 |
| ·铜薄膜的制备 | 第80页 |
| ·GS/CC 及 VGs-GS/CC 的制备 | 第80页 |
| ·表征方法 | 第80-82页 |
| ·结果与讨论 | 第82-91页 |
| ·铜薄膜、铜颗粒、GS/CC 和 VGs-GS/CC 的形貌及微观结构的表征 | 第82-89页 |
| ·VGs-GS/CC 的场发射性能 | 第89-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第5章 铜/石墨-石墨烯片核壳结构材料的场发射性能研究 | 第93-109页 |
| ·前言 | 第93-95页 |
| ·实验条件 | 第95-96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-108页 |
| ·VGs-GS/CC 的形貌及微观结构的分析 | 第96-103页 |
| ·VGs-GS/CC 的场发射性能研究 | 第103-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 第6章 本文总结 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-135页 |
| 作者简介及攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137页 |
